考研模电·零基础讲义 第00讲｜导读：华师模电考什么、真题题型、怎么用这套讲义

考研模电·零基础讲义 · 第 00 讲｜导读：华师模电考什么、真题题型、怎么用这套讲义 读完本讲，你会知道华南师范大学专业课里模电部分考哪些内容、2026 年回忆题长什么样、每道题对应本系列哪几讲、哪些内容要重点下功夫，以及模电和数电到底有什么不同。预计用时 30–40 分钟。

本讲地图#

• 考什么：华师自命题科目"857 电子技术基础（含数字与模拟电路）"，模电、数电合卷；本系列只讲其中的模拟电子技术部分（数电见姊妹系列"考研数电·零基础讲义"）。
• 怎么考：根据 2026 年回忆题，模电部分以分析题、设计题为主：二极管电路、BJT 工作状态与分压式射极偏置电路、直流稳压电源、MOS 集成电路。
• 怎么学：按"电路与器件基础 → 三极管放大 → MOS 与集成电路 → 运放与反馈 → 信号处理 → 直流电源"的顺序，共 00–18 讲。每节都标了重要度 ⭐⭐⭐ / ⭐⭐ / ⭐，真题考到的内容写得最细。
• 教材：康华光、陈大钦、张林《电子技术基础 模拟部分》（第六版），本系列讲次与教材章节的对应见第四节目录表。

前置知识#

• 不需要任何前置知识。会解方程、知道"电压、电流"这两个词就可以开始。
• 建议准备纸笔和一本教材。模电的题是"算出来、画出来"的，光看不练学不会。

---

一、华师考哪门课 ⭐⭐#

1.1 科目信息（以学校官网为准）#

• 科目名称和代码：在华南师范大学硕士研究生招生专业目录中，电子科学与工程学院（微电子学院）的通信工程、集成电路工程、控制工程等专业，初试第四门科目为 857 电子技术基础（含数字与模拟电路） ^[1]。其他学院也可能有专业考这门课，请以你报考专业当年的目录为准。
• 命题方式与分值：招生单位自命题，初试科目，满分 150 分 ^[2]。
• 考试时长：学校 2026 年招生简章写明初试每科考试时间一般为 3 小时，初试方式均为笔试 ^[3]。
• 计算器：学校在 2025 年考试大纲公告中说明"所有自命题科目在初试时均不使用计算器" ^[4]。之后年份是否沿用以当年公告为准。对复习的影响：模电题数值多（静态工作点、增益、整流输出电压），本系列例题会尽量用好算的数，你也要练习"手算 + 估算"，比如$26\,\text{mV}/1.3\,\text{mA}=20\,\Omega$⁠、$\sqrt2\approx1.414$⁠、$20\lg100=40\,\text{dB}$⁠。
• 2027 年：2027 年 857 考试大纲中，模拟电子技术部分的内容与 2026 年相同 ^[5]。

招生目录每年会调整（专业、代码、科目都可能变），报名前一定要去学校研究生招生网自己再核对一遍。

1.2 857 是"模电 + 数电"合卷#

考试大纲把内容分成"模拟电子技术"和"数字电子技术"两大块，学校没有公布两部分各占多少分，所以两边都不能放。本系列只覆盖模拟电子技术。

---

二、考纲模电部分：考什么、在哪讲 ⭐⭐⭐#

下表左边是 857 考试大纲中"模拟电子技术"部分的原文 ^[2]，右边是本系列对应的讲次和康华光第六版教材章节。

怎么读这张表：

• 第一条只说"基本结构和工作原理"，所以器件部分偏概念与判断（PN 结单向导电、BJT 放大条件、三种工作状态）；不要求深挖半导体物理。
• 第二条"静态和动态分析"是整个模电的计算核心：静态求 Q 点，动态求$A_v$⁠、$R_i$⁠、$R_o$⁠。共射、共基、共集三种组态都点名了。
• 反馈只写了"基本概念及判断方法"，所以第 13 讲的重点是"判断"（有无反馈、正负、交直流、四种组态）。2026 回忆题第 2(3) 问"引入的是什么负反馈"正是这一条。
• 考纲没有单列的内容：频率响应（第 09 讲）、功率放大电路（第 17 讲）、各种器件的 SPICE 仿真、噪声等。本系列对这些内容点到为止，标"了解即可"。

---

三、2026 年回忆题（模电部分）分析 ⭐⭐⭐#

下面是考生回忆的 2026 年真题模电部分（2026 回忆题）。回忆版可能不完整或有出入，第 1 题第 (2) 问没有记录下来，第 4 题原图也没有保存；我们重点看"考什么题型、用到哪些知识"。

图 1：2026 年回忆题模电部分四道题与本系列讲次的对应关系

第 1 题：二极管与 BJT 的状态判断#

(1) 二极管分压电路；(2) [未记录]；(3) 判断 BJT 的工作状态（放大/饱和/截止）。

• 考点：二极管导通/截止的判断与分压计算（第 03 讲（中）"二极管分压电路"整节，多道例题和变式）；BJT 三种工作状态的判断（第 04 讲（下））。
• 共同的关键：先判断每个 PN 结正偏还是反偏。二极管题"断开二极管看两端电位"；BJT 题"看发射结、集电结的偏置"，或者"假设放大、算出$V_{CE}$再检验"。
• 失分点：二极管导通后还用空载分压值（应该用戴维南等效重算）；BJT 判断只看一个结。

第 2 题：分压式射极偏置电路（BJT 设计分析）#

(1) 画带负载的基极分压式射极偏置电路；(2) 与基本共射电路相比改进了什么；(3) 引入的是什么负反馈，为什么能稳定（静态工作点）；(4) 电压增益公式、带负载能力；(5) 测得静态$V_{CEQ}\approx V_{CC}$⁠，判断工作状态及原因。

• 考点：这道题几乎是第 05、06 讲的"全家桶"——
  • (1) 会画电路：第 06 讲（上）；
  • (2) 改进：静态工作点稳定（温度变化时 Q 点基本不变），第 06 讲（上）；
  • (3) 直流电流串联负反馈，稳定$I_{CQ}$⁠：第 06 讲（上）+ 第 13 讲（一）（二）；
  • (4) $A_v=-\dfrac{\beta(R_c/\!/R_L)}{r_{be}}$（射极有旁路电容时）、输出电阻$R_o\approx R_c$⁠：第 05 讲（下）、第 06 讲（下），"带负载能力"的含义见第 01 讲（下）；
  • (5) $V_{CEQ}\approx V_{CC}$说明集电极电流几乎为零，管子截止，原因可能是基极偏置电阻开路、发射结没有正偏等：第 04 讲（下）、第 05 讲（中）。
• 难点：这是简答 + 计算的综合题，答题要有条理。第 06 讲（下）会给出整题的标准答案模板。

第 3 题：直流稳压电源#

(1) 画 变压器 → 桥式整流（4 个二极管）→ 电容滤波 → 三端稳压器 LM7812；(2) 已知次级有效值$V_2$⁠，若输出（滤波后）只有$0.9V_2$⁠，是什么故障；(3) LM78xx 正常工作时为什么要求输入比输出高 2~3 V；(4) 能否用 LM78xx 做成输出可调的线性稳压电路？能则画图并写$V_o$表达式，不能说明原因。

• 考点：桥式整流、电容滤波输出电压估算（⁠$0.9V_2$⁠、$1.2V_2$等系数各在什么条件下成立）：第 18 讲（上）；三端稳压器的工作原理与扩展用法：第 18 讲（中）（下）；稳压管稳压是它的基础：第 03 讲（下）。
• 提示：桥式整流不加电容时输出平均值正好是$0.9V_2$⁠；正常电容滤波约$1.2V_2$⁠。所以 (2) 问的思路是"哪个元件出问题会让电容滤波失效"——第 18 讲（上）详细分析。
• 难点：(4) 是开放设计题，要会画"LM78xx + 电阻分压/运放"的可调电路，并推出$V_o$表达式（第 18 讲（下））。

第 4 题：MOS 管集成电路#

(1) 图中 MOS 管构成了什么电路、作用；(2) T4、T5 的静态电流（中间接电位器）；(3) 估算总电压增益$A_v$⁠。

• 考点：MOSFET 的特性与小信号模型（第 10 讲）；电流源电路（镜像电流源作偏置、作有源负载）（第 11 讲（上））；差分放大电路与调零电位器（第 11 讲（中））；多级增益估算（第 08、11 讲（下））。
• 说明：原图没有保存。第 11 讲（下）会自己画一个"MOS 电流源偏置 + 差分输入 + 调零电位器"的典型电路作为例题，不是原题图，但考法相同。

小结：题型特点#

• 综合性强：一道题往往串起好几讲（第 2 题 = BJT + 偏置电路 + 反馈 + 小信号分析）。
• "画 + 判断 + 算 + 说原因"：不仅要会算，还要会画电路、会用一两句话说清原理（"为什么能稳定""是什么故障""为什么要高 2~3 V"）。本系列每讲都配了这类问题的答题模板。
• 器件 + 应用并重：二极管、BJT、MOS 三种器件都考到了，直流电源这种应用电路也单独成题。

（以上只依据 2026 年一年的回忆题，不代表每年都这样出；考纲里的其他内容同样要复习到。）

---

四、全系列目录（00–18 讲）#

（教材章节号按第六版目录给出，个别小节以你手上的书为准。）

---

五、怎么用这套讲义 ⭐⭐#

5.1 学习路线#

图 2：本系列的学习路线，橙色高亮框依次移动（动画循环播放）

1. 先打地基（01–03 讲）：电路基础、半导体、二极管。01 讲是"不单独考、处处都要用"的工具；第 03 讲（中）是真题第 1 题的直接来源。
2. 三极管放大（04–09 讲）：模电的核心，也是分值最集中的一块。真题第 1(3)、第 2 题全在这里。第 05、06 讲要反复练。第 09 讲频率响应考纲未单列，了解即可。
3. MOS 与集成电路（10–11 讲）：MOS 管放大电路的分析和 BJT 平行，可以对照着学；电流源、差分放大是真题第 4 题的考点。
4. 运放与反馈（12–13 讲）：理想运放"虚短、虚断"计算简单、得分容易；反馈的判断方法是考纲点名的内容。
5. 信号处理（14–17 讲）：滤波、乘法器、振荡、比较器、波形发生；第 17 讲功放是选学。
6. 直流电源（18 讲）：真题第 3 题整题出自这里，三讲都要吃透。

5.2 重要度标记怎么用#

每节标题后都有一个标记：

时间紧张时的"最短路径"：所有 ⭐⭐⭐ 小节 + 每讲的速记卡 + 每讲的华师风格练习题。

5.3 每一讲怎么学#

每讲的结构都一样：本讲地图 → 前置知识 → 正文（大白话 → 定义/公式 → 逐行拆解 → 例题 → 易错点）→ 速记卡 → 自测练习 → 下一讲预告。

1. 第一遍：通读 + 跟着算。例题盖住答案，自己在纸上算一遍再对。
2. 做自测题：先做再展开"答案与提示"；错题标出来。
3. 复习只看速记卡：每讲速记卡就是这讲的全部要点。
4. 卡住就回补前置：每讲开头写了需要先会哪几讲。

5.4 几条学习方法#

• "先静态、后动态"是模电的总套路：先画直流通路求静态工作点，再画交流通路、换小信号模型求$A_v$⁠、$R_i$⁠、$R_o$⁠。二极管（第 03 讲（上））、BJT（第 05 讲）、MOS（第 10 讲）全是这个套路。
• 判断题先断开、先假设：二极管通不通、BJT 什么状态、反馈正负——都是"先假设一个状态，算出来再检验"。
• 把答题模板背下来：真题有大量"说明原因"类问题（为什么能稳定 Q 点、是什么负反馈、为什么要高 2~3 V），有模板就不会写得零散。
• 自己动手画电路图：真题要求"画出"电路（分压式射极偏置、整流滤波稳压）。元件符号、电源和地的位置、电容极性，多画几遍。
• 手算练习：不用计算器，常用数要熟：$V_T\approx26\,\text{mV}$⁠、$V_{BE}\approx0.7\,\text{V}$⁠、$\sqrt2\approx1.414$⁠、$0.9V_2$/$1.2V_2$/$1.4V_2$⁠、$20\lg10=20\,\text{dB}$⁠。

---

六、模电和数电有什么不同 ⭐#

很多同学先学过数电（或者同时在学），把两门课的思路区分开，能少走很多弯路。

一句话：数电问"是不是"，模电问"有多少"。模电里"近似"是常态——学会判断什么时候可以近似、误差有多大，是模电的基本功。

---

七、常见符号与器件读法 ⭐⭐#

7.1 符号的大小写约定（第一天就要记住）#

7.2 本系列常见符号#

7.3 本系列会重点讲的器件#

---

速记卡#

---

自测练习#

1. 华师 857 科目的全称是什么？满分多少？包含哪两部分内容？

答案与提示

857 电子技术基础（含数字与模拟电路），满分 150 分，包含模拟电子技术和数字电子技术两部分。以报考当年的招生目录和考试大纲为准。

2. 考纲模电部分中"放大电路中的反馈"要求的是什么？对应本系列第几讲？

答案与提示

"反馈的基本概念及判断方法"，对应第 13 讲，重点是第 13 讲（二）的判断方法；深度负反馈近似计算见第 13 讲（四）。

3. 2026 年回忆题第 1(1) 题"二极管分压电路"主要用到哪几讲的知识？

答案与提示

二极管模型（第 03 讲（上），恒压降 0.7 V）、判断通断与分压电路分析（第 03 讲（中）），以及分压和戴维南等效（第 01 讲（上））。

4. 2026 年回忆题第 2(5) 问说"测得$V_{CEQ}\approx V_{CC}$"。不看后面的讲次，凭直觉想一想：集电极电阻$R_c$上几乎没有压降，意味着集电极电流是大还是小？

答案与提示

$V_{CEQ}\approx V_{CC}$说明$R_c$（和$R_e$⁠）上压降几乎为零，即集电极电流几乎为零——三极管处于截止状态。具体原因分析见第 04 讲（下）和第 06 讲（下）。

5. 桥式整流电路，变压器次级电压有效值$V_2=15\,\text{V}$⁠。正常电容滤波时输出约多少？如果输出只有$0.9V_2$⁠，是多少伏？（原因第 18 讲分析）

答案与提示

正常电容滤波约$1.2V_2=18\,\text{V}$⁠；$0.9V_2=13.5\,\text{V}$⁠，这正是桥式整流没有电容滤波时的输出平均值，提示滤波环节失效。

6. LM7812 的输出是多少伏？若要求输入比输出至少高 2~3 V，输入电压至少应在什么范围？

答案与提示

输出 +12 V（"78"系列为正电压，"12"表示 12 V）。输入至少约 1415 V。为什么要高 23 V，第 18 讲（下）解释。

7. 判断：① 本系列标 ⭐ 的内容一定不考；② 模电计算中常用近似，所以答案可以随便估；③ 模电和数电是两门互不相关的课。

答案与提示

① 错，⭐ 表示考纲要求低或未单列，不代表一定不考，只是优先级低。② 错，近似都有条件（如$I_1\gg I_B$⁠、$R_L\gg R_o$⁠），要说明条件，并在条件满足时使用。③ 错，两者共用半导体器件知识，数电门电路内部就是二极管、三极管和 MOS 管的开关应用。

---

下一讲预告#

第 01 讲（上）从最基础的电压、电流、电阻讲起，把后面所有计算要用的电路工具——分压、KCL/KVL、戴维南等效——一次补齐。

👉 点击进入下一讲：第01讲（上）｜电路基础速成