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考研模电·零基础讲义 第06讲(上)|静态工作点的稳定:基极分压式射极偏置电路

约 24 分钟 7654 字 华南师范大学模拟电子技术考研模电零基础讲义

考研模电·零基础讲义 · 第 06 讲(上)|静态工作点的稳定:基极分压式射极偏置电路 学完这一讲,你能说清"温度一变 Q 点为什么会跑",能画出基极分压式射极偏置电路和它的直流通路,用"近似法"和"戴维南精确法"两种方法算出ICQI_{CQ}⁠、IBQI_{BQ}⁠、VCEQV_{CEQ}⁠,能用一条"过程链"把稳定原理讲得滴水不漏,还能反过来按要求设计电阻。预计用时 120 分钟。

本讲地图

  • 为什么要稳定 Q 点 ⭐⭐:温度升高 → β\beta⁠、ICEOI_{CEO}变大、VBEV_{BE}变小 → ICQI_{CQ}上漂 → Q 点跑向饱和区。基本共射电路(固定偏置)对此几乎没有抵抗力。
  • 电路结构 ⭐⭐⭐:Rb1R_{b1}⁠、Rb2R_{b2}分压"钉住"基极电位,发射极串ReR_e(交流用CeC_e旁路)。2026 回忆题第 2 题第 (1) 问就是让你画它(带负载)。
  • 静态估算 ⭐⭐⭐:近似法四步公式 + 戴维南精确法;什么时候近似够用。
  • 稳定原理 ⭐⭐⭐:T↑→ICQ↑→VEQ↑→VBEQ↓→IBQ↓→ICQ↓T\uparrow\to I_{CQ}\uparrow\to V_{EQ}\uparrow\to V_{BEQ}\downarrow\to I_{BQ}\downarrow\to I_{CQ}\downarrow⁠,本质是直流电流串联负反馈(真题第 (2)(3) 问)。
  • 设计 ⭐⭐:给定ICQI_{CQ}⁠、VCEQV_{CEQ}反求Rb1R_{b1}⁠、Rb2R_{b2}⁠、ReR_e⁠、RcR_c⁠,记住工程经验VBQ≈VCC/3V_{BQ}\approx V_{CC}/3⁠、I1=(5∼10)IBQI_1=(5\sim10)I_{BQ}⁠。
  • 教材对应:康华光第六版 第 5 章 5.4 节(5.4.1 温度对 Q 点的影响、5.4.2 射极偏置电路之 "1.(1)(2)");动态分析放在下一讲。

前置知识

  • KVL、分压公式、戴维南等效:见第 01 讲(上)。
  • BJT 三种工作状态及判断、IC=βIBI_C=\beta I_B⁠、IE=(1+β)IBI_E=(1+\beta)I_B⁠:见第 04 讲(下)。
  • 基本共射放大电路、直流通路的画法、静态工作点 Q 的估算:见第 05 讲(上)。
  • 负载线、饱和失真与截止失真:见第 05 讲(中)。

符号约定复习(本讲会反复用):大写字母 + 大写下标表示直流量,例如VCEQV_{CEQ}(读作"V-C-E-Q",集电极-发射极之间的静态电压,单位 V),ICQI_{CQ}(集电极静态电流,单位 mA);下标里的 Q 表示"静态工作点(Quiescent point)上的值"。小写字母 + 小写下标表示交流量,例如vbev_{be}⁠、ici_c⁠。大小写混搭(小写字母 + 大写下标,如iCi_C⁠)表示"直流 + 交流"的总瞬时值。


一、为什么 Q 点会"跑"? ⭐⭐

1.1 大白话

把 BJT 想成一个水龙头:基极电流IBI_B是你拧阀门的手劲,集电极电流IC=βIBI_C=\beta I_B是出水量,β\beta是"放大倍数"——手劲一点点,出水一大股。

静态工作点 Q 就是"没有信号时,水龙头被拧到的那个开度"。第 05 讲说过,Q 点要放在输出特性的中间,信号来了才能上下对称地摆,不削顶也不削底。

麻烦在于:这个水龙头怕热。夏天一热,同样的手劲,出水变多了。于是 Q 点自己往上(往饱和区)爬,放大电路就会削顶失真,严重时直接饱和不能用。

1.2 温度到底改变了什么

教材 5.1.5 节给了三条(记住方向和大致数量级即可):

参数 温度升高时 大致幅度 对ICQI_{CQ}的影响
ICBOI_{CBO}(集电结反向饱和电流)、ICEOI_{CEO}(穿透电流) 增大 每升高 10 ℃ 约翻一倍 使ICQ=βIBQ+ICEOI_{CQ}=\beta I_{BQ}+I_{CEO}增大
β\beta(共射电流放大系数,读"贝塔") 增大 每升高 1 ℃ 约增大 0.5%~1% 同样的IBQI_{BQ}得到更大的ICQI_{CQ}
VBEV_{BE}(发射结导通压降) 减小 每升高 1 ℃ 约减小 2~2.5 mV 同样的偏置下IBQI_{BQ}增大

三条的方向完全一致:温度升高,ICQI_{CQ}都往上走。除了温度,电源电压波动、元件参数分散(同型号管子β\beta可以差一倍)、元件老化也会让 Q 点变,但教材强调温度的影响最大。

1.3 基本共射电路(固定偏置)为什么扛不住

第 05 讲的基本共射电路,基极电流由一个大电阻RbR_b直接从电源"喂"进去:

IBQ=VCC−VBEQRbI_{BQ}=\frac{V_{CC}-V_{BEQ}}{R_b}

逐行拆解:分子VCC−VBEQV_{CC}-V_{BEQ}几乎是常数(12 V 里 0.7 V 变一点点影响很小),RbR_b是常数,所以IBQI_{BQ} 被固定死了,它不会因为ICQI_{CQ}变大而"自动收手"。于是β\beta涨多少,ICQ=βIBQI_{CQ}=\beta I_{BQ}就跟着涨多少——电路里没有任何"检测并纠正"的机制。这就是"固定偏置"这个名字的含义,也是它的软肋。

一句话:想让ICQI_{CQ}稳定,就要让电路在ICQI_{CQ}变大时自动把IBQI_{BQ}调小。教材原话:"要想使ICQI_{CQ}基本稳定,只要在温度升高时电路能自动地减小基极电流IBQI_{BQ}即可。"射极偏置电路就是干这个的。


二、基极分压式射极偏置电路的结构 ⭐⭐⭐

2.1 大白话:两个"巧思"

  1. 用两个电阻分压,把基极电位"钉"住。 Rb1R_{b1}(上偏置电阻)和Rb2R_{b2}(下偏置电阻)串在VCCV_{CC}和地之间,像一个分压器。只要流过它们的电流I1I_1远大于基极电流IBQI_{BQ}⁠,基极电位VBQV_{BQ}就几乎只由两个电阻的比例决定,跟管子好坏、温度高低基本无关——就像一个大水塔的水位,你从旁边接一根小细管取水,水位几乎不变。
  2. 在发射极串一个电阻ReR_e当"传感器"。 IEQI_{EQ}流过ReR_e会产生压降VEQ=IEQReV_{EQ}=I_{EQ}R_e⁠。电流一变大,这个压降就变大,而VBEQ=VBQ−VEQV_{BEQ}=V_{BQ}-V_{EQ}⁠,基极电位又是钉死的,所以VBEQV_{BEQ}被"挤"小,管子自己就把电流往回收了。ReR_e就像水龙头出口的一个流量计 + 自动回拧阀门的弹簧。

2.2 完整电路(带负载)

下图就是考试要你画的那张图:信号源vsv_s(内阻RsiR_{si}⁠)经耦合电容Cb1C_{b1}接到基极;输出从集电极经Cb2C_{b2}送到负载RLR_L⁠;ReR_e两端并联大电容CeC_e⁠。

基极分压式射极偏置共射放大电路(带负载)+VCC 12 VRb133 kΩRb210 kΩTRc3 kΩRe1.5 kΩCe100 μFCb210 μFRL3 kΩvovsRsi500 ΩCb110 μFvi

图 1:基极分压式射极偏置共射放大电路(带负载RLR_L⁠),本讲和下一讲的例题都用图中这组数值

逐个元件拆解:

元件 读法 / 名称 作用 本讲例题取值
VCCV_{CC} "V-C-C",集电极直流电源 给整个电路供能、建立 Q 点 12 V
Rb1R_{b1} 上偏置电阻 与Rb2R_{b2}分压,确定VBQV_{BQ} 33 kΩ
Rb2R_{b2} 下偏置电阻 同上;它接地 10 kΩ
RcR_c 集电极电阻 把电流变化变成电压变化(放大的关键),并决定VCEQV_{CEQ} 3 kΩ
ReR_e 发射极电阻 稳定 Q 点的关键:检测IEQI_{EQ}并形成负反馈 1.5 kΩ
CeC_e 发射极旁路电容 交流时把ReR_e短路,避免增益大幅下降(下一讲细讲) 100 μF
Cb1C_{b1}⁠、Cb2C_{b2} 耦合电容(隔直电容) "隔直流、通交流",让信号源和负载不影响 Q 点 10 μF
RLR_L 负载电阻 接收输出信号的"下家" 3 kΩ
RsiR_{si} 信号源内阻 信号源自身的电阻 500 Ω

记图口诀:"上下两电阻分基压,射极电阻带旁路,两头电容隔直流,负载挂在输出端。" 考场画图时,CeC_e的位置(并在ReR_e两端,不是并在RcR_c两端)和负载RLR_L经Cb2C_{b2}接在集电极这两点最容易画错。

2.3 它仍然是"共射"电路

发射极并没有直接接地,为什么还叫共射?判断组态看信号从哪进、从哪出:信号从基极进、从集电极出,发射极(经CeC_e交流接地)是输入回路和输出回路的公共端,所以是共发射极组态。即使没有CeC_e⁠,教材也指出:发射极既在输入回路又在输出回路中,仍属共射极放大电路。


三、直流通路与 Q 点估算 ⭐⭐⭐

3.1 画直流通路

规则(第 05 讲学过):电容开路、电感短路、交流信号源置零(保留内阻)。于是Cb1C_{b1}⁠、Cb2C_{b2}⁠、CeC_e全部断开,信号源和负载被隔离出去,只剩下下图:

直流通路与静态电流+VCC 12 VRb133 kΩRb210 kΩTRc3 kΩRe1.5 kΩI1I2IBQVBQ ≈ 2.79 VICQIEQVEQ = IEQ Re电容对直流相当于开路(不画)I1 ≫ IBQ → 基极电位被“钉住”VBQ ≈ VCC Rb2 /(Rb1 + Rb2)

图 2:直流通路。蓝点是流过分压电阻的I1I_1⁠、I2I_2⁠,绿点是很小的IBQI_{BQ}⁠,橙点是ICQI_{CQ}与IEQI_{EQ}(动画循环播放)

节点电流关系(KCL):在基极节点I1=I2+IBQI_1=I_2+I_{BQ}⁠。

3.2 近似估算法(教材式 5.4.1~5.4.4,考试最常用)

前提:I1≫IBQI_1\gg I_{BQ}⁠,于是I2≈I1I_2\approx I_1⁠,基极就像接在一个"不被抽电流"的分压器上。

第 1 步,基极电位:

VBQ≈Rb2Rb1+Rb2VCCV_{BQ}\approx\frac{R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}}V_{CC}

第 2 步,发射极电流(发射结导通压降VBEQ≈0.7 VV_{BEQ}\approx0.7\,\text{V}⁠,硅管):

ICQ≈IEQ=VBQ−VBEQReI_{CQ}\approx I_{EQ}=\frac{V_{BQ}-V_{BEQ}}{R_e}

第 3 步,基极电流:

IBQ=ICQβI_{BQ}=\frac{I_{CQ}}{\beta}

第 4 步,管压降(集电极-发射极回路 KVL:VCC=ICQRc+VCEQ+IEQReV_{CC}=I_{CQ}R_c+V_{CEQ}+I_{EQ}R_e⁠,再用IEQ≈ICQI_{EQ}\approx I_{CQ}⁠):

VCEQ=VCC−ICQ(Rc+Re)V_{CEQ}=V_{CC}-I_{CQ}(R_c+R_e)

逐行拆解:

  • 第 2 步是全题的灵魂:VBQV_{BQ}减去 0.7 V 就是发射极电位VEQV_{EQ}⁠,除以ReR_e就是电流。注意β\beta根本没出现在ICQI_{CQ}的式子里——这正说明ICQI_{CQ}与β\beta基本无关,Q 点稳定。
  • 顺序很重要:先VBQV_{BQ} → 再IEQI_{EQ} → 再IBQI_{BQ}⁠。不要像固定偏置那样先算IBQI_{BQ}⁠。
  • 第 4 步的Rc+ReR_c+R_e⁠:因为ICQI_{CQ}先后流过RcR_c和ReR_e两个电阻,它们一起"分走"电源电压。

3.3 例题 1(基础):按近似法算 Q 点

图 1 电路,VCC=12 VV_{CC}=12\,\text{V}⁠,Rb1=33 kΩR_{b1}=33\,\text{k}\Omega⁠,Rb2=10 kΩR_{b2}=10\,\text{k}\Omega⁠,Rc=3 kΩR_c=3\,\text{k}\Omega⁠,Re=1.5 kΩR_e=1.5\,\text{k}\Omega⁠,β=100\beta=100⁠,VBEQ=0.7 VV_{BEQ}=0.7\,\text{V}⁠。求VBQV_{BQ}⁠、ICQI_{CQ}⁠、IBQI_{BQ}⁠、VCEQV_{CEQ}⁠,并判断管子工作状态。

解:

① 基极电位

VBQ≈1033+10×12 V=12043 V≈2.79 VV_{BQ}\approx\frac{10}{33+10}\times12\,\text{V}=\frac{120}{43}\,\text{V}\approx2.79\,\text{V}

② 集电极(发射极)电流

ICQ≈IEQ=2.79−0.71.5 kΩ=2.09 V1.5 kΩ≈1.39 mAI_{CQ}\approx I_{EQ}=\frac{2.79-0.7}{1.5\,\text{k}\Omega}=\frac{2.09\,\text{V}}{1.5\,\text{k}\Omega}\approx1.39\,\text{mA}

③ 基极电流

IBQ=1.39 mA100≈13.9 μAI_{BQ}=\frac{1.39\,\text{mA}}{100}\approx13.9\,\mu\text{A}

④ 管压降

VCEQ=12 V−1.39 mA×(3+1.5) kΩ≈12−6.27≈5.73 VV_{CEQ}=12\,\text{V}-1.39\,\text{mA}\times(3+1.5)\,\text{k}\Omega\approx12-6.27\approx5.73\,\text{V}

⑤ 判断状态:发射结正偏(⁠VBEQ=0.7 VV_{BEQ}=0.7\,\text{V}⁠),VCEQ=5.73 VV_{CEQ}=5.73\,\text{V}远大于饱和压降VCES≈0.3 VV_{CES}\approx0.3\,\text{V}⁠,说明集电结反偏 → 放大区。而且5.73 V5.73\,\text{V}大致在00~12 V12\,\text{V}的中间,Q 点位置合适。

3.4 戴维南精确法(检验近似、做"精确计算"题)

近似法忽略了IBQI_{BQ}对分压的"抽取"。要精确,就把基极左边的分压器用戴维南定理化成一个电压源 + 串联电阻:

VBB=Rb2Rb1+Rb2VCC,Rb=Rb1∥Rb2=Rb1Rb2Rb1+Rb2V_{BB}=\frac{R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}}V_{CC},\qquad R_b=R_{b1}\parallel R_{b2}=\frac{R_{b1}R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}}

逐行拆解:VBBV_{BB}(读"V-B-B")是基极断开时分压器的开路电压,数值上等于近似法的VBQV_{BQ}⁠;RbR_b是从基极往左看进去、把VCCV_{CC}置零后的等效电阻,即两电阻并联("∥\parallel"读作"并联")。

然后对"VBB→Rb→V_{BB}\to R_b\to发射结→Re→\to R_e\to地"这个回路列 KVL,注意流过ReR_e的是IEQ=(1+β)IBQI_{EQ}=(1+\beta)I_{BQ}⁠:

VBB=IBQRb+VBEQ+(1+β)IBQReV_{BB}=I_{BQ}R_b+V_{BEQ}+(1+\beta)I_{BQ}R_e IBQ=VBB−VBEQRb+(1+β)ReI_{BQ}=\frac{V_{BB}-V_{BEQ}}{R_b+(1+\beta)R_e}

这个分母很有意思:ReR_e从发射极"折算"到基极回路时放大了(1+β)(1+\beta)倍,因为同一个电阻里流的是(1+β)(1+\beta)倍的基极电流。这个"折算"思想下一讲算输入电阻时还会用到。

例题 1 续(精确值):

Rb=33×1043 kΩ≈7.67 kΩR_b=\frac{33\times10}{43}\,\text{k}\Omega\approx7.67\,\text{k}\Omega IBQ=2.79−0.77.67+101×1.5 VkΩ=2.09159.2 mA≈13.1 μAI_{BQ}=\frac{2.79-0.7}{7.67+101\times1.5}\,\frac{\text{V}}{\text{k}\Omega}=\frac{2.09}{159.2}\,\text{mA}\approx13.1\,\mu\text{A} ICQ=βIBQ≈1.31 mA,VCEQ=VCC−ICQRc−IEQRe≈6.07 VI_{CQ}=\beta I_{BQ}\approx1.31\,\text{mA},\qquad V_{CEQ}=V_{CC}-I_{CQ}R_c-I_{EQ}R_e\approx6.07\,\text{V}
量 近似法 戴维南精确法 相对误差
ICQI_{CQ} 1.39 mA 1.31 mA 约 6%
VCEQV_{CEQ} 5.73 V 6.07 V 约 6%

误差约 6%,对于电阻本身就有 ±5% 误差的实际电路,近似法完全够用。考试中题目没要求"精确计算"时,一律用近似法;题目说"考虑IBQI_{BQ}的影响"或"精确计算"时用戴维南法。

近似法什么时候够用? 看两个比值:

  • I1I_1与IBQI_{BQ}⁠:本例I1=(12−2.69) V/33 kΩ≈282 μAI_1=(12-2.69)\,\text{V}/33\,\text{k}\Omega\approx282\,\mu\text{A}⁠,约为IBQI_{BQ}的 21 倍;
  • (1+β)Re(1+\beta)R_e与RbR_b⁠:本例151.5 kΩ151.5\,\text{k}\Omega对7.67 kΩ7.67\,\text{k}\Omega⁠,约 20 倍。

教材给出的工程经验是I1=(5∼10)IBQI_1=(5\sim10)I_{BQ}⁠、(1+β)Re≈10Rb(1+\beta)R_e\approx10R_b⁠;倍数越大,近似越准,Q 点也越稳。

3.5 变式:用实测电位反推工作状态(联系 2026 回忆题第 1 题第 (3) 问)⭐⭐⭐

考试和实验里常给你"用万用表测得的各极对地电位",让你判断管子状态、甚至推断故障。判断 NPN 管的口诀:

状态 发射结VBEV_{BE} 集电结VBCV_{BC} 典型表现
放大 正偏(≈0.7 V) 反偏(⁠VC>VBV_C>V_B⁠) VCEV_{CE}在中间,几伏
饱和 正偏 正偏(⁠VC<VBV_C<V_B⁠) VCE≈0.3 VV_{CE}\approx0.3\,\text{V}以下
截止 零偏或反偏(⁠<0.5 V<0.5\,\text{V}⁠) 反偏 IC≈0I_C\approx0⁠,VC≈VCCV_C\approx V_{CC}

例题 1′(变式):例题 1 的电路,测得四组对地电位如下,判断每组的工作状态,并估算电流。 (a) VB=2.69 VV_B=2.69\,\text{V}⁠,VE=1.99 VV_E=1.99\,\text{V}⁠,VC=8.06 VV_C=8.06\,\text{V}⁠; (b) VB=0V_B=0⁠,VE=0V_E=0⁠,VC=12 VV_C=12\,\text{V}⁠; (c) VB=4.82 VV_B=4.82\,\text{V}⁠,VE=4.12 VV_E=4.12\,\text{V}⁠,VC=4.42 VV_C=4.42\,\text{V}⁠; (d) VB=0.70 VV_B=0.70\,\text{V}⁠,VE=0V_E=0⁠,VC=0.30 VV_C=0.30\,\text{V}⁠。

解:

(a) VBE=2.69−1.99=0.70 VV_{BE}=2.69-1.99=0.70\,\text{V}正偏;VC>VBV_C>V_B⁠,集电结反偏 → 放大。IEQ=VE/Re=1.99/1.5≈1.33 mAI_{EQ}=V_E/R_e=1.99/1.5\approx1.33\,\text{mA}⁠,ICQ=(12−8.06)/3≈1.31 mAI_{CQ}=(12-8.06)/3\approx1.31\,\text{mA}⁠,VCEQ=8.06−1.99=6.07 VV_{CEQ}=8.06-1.99=6.07\,\text{V}——和戴维南精确解一致,电路正常。

(b) VBE=0V_{BE}=0⁠,发射结没有正偏 → 截止,IC≈0I_C\approx0⁠,RcR_c上没有压降所以VC=VCCV_C=V_{CC}⁠。基极电位为 0,说明基极没有被抬起来:可能是Rb1R_{b1}开路,或Rb2R_{b2}短路(下一讲第 (5) 问专门讲)。

(c) VBE=0.70 VV_{BE}=0.70\,\text{V}正偏;VBC=4.82−4.42=0.40 V>0V_{BC}=4.82-4.42=0.40\,\text{V}>0⁠,集电结也正偏 → 饱和,VCE=0.30 VV_{CE}=0.30\,\text{V}⁠。基极电位高达 4.82 V,远高于正常的 2.7 V——这正是Rb2R_{b2}开路时的情形:基极只通过Rb1R_{b1}接电源,电流过大。估算IE=4.12/1.5≈2.75 mAI_E=4.12/1.5\approx2.75\,\text{mA}⁠,IC=(12−4.42)/3≈2.53 mAI_C=(12-4.42)/3\approx2.53\,\text{mA}⁠,IB=IE−IC≈0.22 mAI_B=I_E-I_C\approx0.22\,\text{mA}⁠,远大于IC/βI_C/\beta——饱和时IC<βIBI_C<\beta I_B正是它的标志。

(d) VE=0V_E=0而电路里有ReR_e⁠,说明发射极被短接到地(例如CeC_e击穿);VBE=0.7 VV_{BE}=0.7\,\text{V}正偏,VBC=0.4 VV_{BC}=0.4\,\text{V}正偏 → 饱和。IC=(12−0.3)/3=3.9 mAI_C=(12-0.3)/3=3.9\,\text{mA}⁠。

⚠️ 判断状态一定要同时看两个结。只看VBE=0.7 VV_{BE}=0.7\,\text{V}就下结论"放大",(c)(d) 两组都会判错。

3.6 答题模板:射极偏置电路求 Q 点

解:画直流通路(电容开路)。设I1≫IBQI_1\gg I_{BQ}⁠,则 ① VBQ≈Rb2Rb1+Rb2VCC=  __  VV_{BQ}\approx\dfrac{R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}}V_{CC}=\;\_\_\;\text{V}⁠; ② ICQ≈IEQ=VBQ−VBEQRe=  __  mAI_{CQ}\approx I_{EQ}=\dfrac{V_{BQ}-V_{BEQ}}{R_e}=\;\_\_\;\text{mA}⁠; ③ IBQ=ICQ/β=  __  μAI_{BQ}=I_{CQ}/\beta=\;\_\_\;\mu\text{A}⁠; ④ VCEQ=VCC−ICQ(Rc+Re)=  __  VV_{CEQ}=V_{CC}-I_{CQ}(R_c+R_e)=\;\_\_\;\text{V}⁠; ⑤ VCEQ>VCESV_{CEQ}>V_{CES}⁠,管子工作在放大区。

每一步写出公式 → 代数 → 带单位的结果,阅卷老师按步给分。

3.7 易错点 ⚠️

  • ⚠️ 把CeC_e带进直流通路:直流时电容开路,ReR_e在直流通路里一定在。很多同学看到CeC_e就以为ReR_e被短路了,算出VEQ=0V_{EQ}=0⁠,全错。
  • ⚠️ VCEQV_{CEQ}只减了ICQRcI_{CQ}R_c:忘了ReR_e上也有压降。
  • ⚠️ 先算IBQ=(VCC−0.7)/Rb1I_{BQ}=(V_{CC}-0.7)/R_{b1}:这是固定偏置的公式,套到分压式电路上是错的——Rb1R_{b1}的电流大部分流进了Rb2R_{b2}⁠,并没有进基极。
  • ⚠️ VBQV_{BQ}和VBEQV_{BEQ}混淆:VBQV_{BQ}是基极对地电位(约 2.79 V),VBEQV_{BEQ}是基极对发射极的电压(约 0.7 V),两者差一个VEQV_{EQ}⁠。
  • ⚠️ 负载RLR_L经Cb2C_{b2}接入,不影响 Q 点(隔直)。若题目是直接耦合(没有Cb2C_{b2}⁠),则RLR_L会进入直流通路,需重新列方程。

四、稳定原理:一条"过程链" ⭐⭐⭐

4.1 大白话:一个自带"恒温器"的水龙头

天热了 → 出水(⁠ICQI_{CQ}⁠)变多 → 流量计(⁠ReR_e⁠)上的读数(⁠VEQV_{EQ}⁠)升高 → 而阀门另一头的水位(⁠VBQV_{BQ}⁠)被水塔钉死不动 → 两边的"压差"(⁠VBEQV_{BEQ}⁠)变小 → 阀门自动关小一点(⁠IBQ↓I_{BQ}\downarrow⁠)→ 出水被拉回来。这就是负反馈:输出一变化,就产生一个与之相反的作用把它压回去。

4.2 过程链(考试原样写这个)

射极偏置电路稳定 Q 点的过程T ↑(温度升高)ICQ ↑IEQ ↑VEQ = IEQ Re ↑VBEQ = VBQ − VEQ ↓IBQ ↓ICQ ↓(被拉回)抵消了开头的增大前提:I1 ≫ IBQ,VBQ 由 Rb1、Rb2 分压“钉住”,不随温度变

图 3:温度升高时的自动调节过程,逐格点亮(动画循环播放)

T↑ → ICQ↑ → IEQ↑ → VEQ (=IEQRe)↑ →VBQ 基本不变 VBEQ (=VBQ−VEQ)↓ → IBQ↓ → ICQ↓T\uparrow\ \to\ I_{CQ}\uparrow\ \to\ I_{EQ}\uparrow\ \to\ V_{EQ}\,(=I_{EQ}R_e)\uparrow\ \xrightarrow{V_{BQ}\ \text{基本不变}}\ V_{BEQ}\,(=V_{BQ}-V_{EQ})\downarrow\ \to\ I_{BQ}\downarrow\ \to\ I_{CQ}\downarrow

逐环拆解(每一环为什么成立):

  1. T↑→ICQ↑T\uparrow\to I_{CQ}\uparrow⁠:温度使β\beta⁠、ICEOI_{CEO}增大、VBEV_{BE}减小(第一节表格)。
  2. ICQ↑→IEQ↑I_{CQ}\uparrow\to I_{EQ}\uparrow⁠:IEQ=ICQ+IBQ≈ICQI_{EQ}=I_{CQ}+I_{BQ}\approx I_{CQ}⁠。
  3. IEQ↑→VEQ↑I_{EQ}\uparrow\to V_{EQ}\uparrow⁠:欧姆定律,VEQ=IEQReV_{EQ}=I_{EQ}R_e⁠。
  4. VEQ↑→VBEQ↓V_{EQ}\uparrow\to V_{BEQ}\downarrow⁠:关键前提是VBQV_{BQ}由分压固定(⁠I1≫IBQI_1\gg I_{BQ}⁠)。如果VBQV_{BQ}跟着变,这一环就不成立。
  5. VBEQ↓→IBQ↓V_{BEQ}\downarrow\to I_{BQ}\downarrow⁠:发射结的输入特性,VBEV_{BE}稍减,IBI_B显著减小。
  6. IBQ↓→ICQ↓I_{BQ}\downarrow\to I_{CQ}\downarrow⁠:IC=βIBI_C=\beta I_B⁠,抵消了第 1 环的增加,ICQI_{CQ}基本不变。

温度降低时,各量反方向变化,Q 点同样稳定。

4.3 这是什么反馈?(真题第 (3) 问)

教材原话:利用ICQI_{CQ}的变化,通过电阻ReR_e取样反过来控制VBEV_{BE}⁠,使IEQI_{EQ}⁠、ICQI_{CQ}基本保持不变。按第 13 讲的反馈分类:

  • 负反馈:反馈的结果是削弱ICQI_{CQ}的变化(链条末端ICQ↓I_{CQ}\downarrow与开头↑\uparrow相反)。
  • 直流反馈:在有CeC_e时,ReR_e只在直流通路中起作用(交流被CeC_e短路),所以稳定的是静态工作点。
  • 电流反馈:取样对象是输出电流 ICQI_{CQ}(⁠≈IEQ\approx I_{EQ}⁠);把负载(这里指RcR_c⁠)短路,ReR_e上仍有反馈电压,所以是电流反馈。
  • 串联反馈:反馈电压VEQV_{EQ}与输入回路的VBQV_{BQ} 串联相减,VBEQ=VBQ−VEQV_{BEQ}=V_{BQ}-V_{EQ}⁠,以电压形式在输入回路比较。

合起来:直流电流串联负反馈。下一讲会把它写成真题标准答案。

4.4 例题 2(提高):用数字感受"稳定"

仍用例题 1 的射极偏置电路。另有一个固定偏置电路:VCC=12 VV_{CC}=12\,\text{V}⁠,Rb=820 kΩR_b=820\,\text{k}\Omega⁠,Rc=3 kΩR_c=3\,\text{k}\Omega⁠,室温下ICQI_{CQ}与前者接近。设温度升高后β\beta从 100 变为 150、VBEV_{BE}从 0.7 V 降到 0.6 V(约升温 40~50 ℃)。用精确法比较两个电路ICQI_{CQ}的变化。

解:

固定偏置:IBQ=VCC−VBERbI_{BQ}=\dfrac{V_{CC}-V_{BE}}{R_b}⁠,ICQ=βIBQI_{CQ}=\beta I_{BQ}⁠。

  • 室温:IBQ=11.3 V820 kΩ≈13.8 μAI_{BQ}=\dfrac{11.3\,\text{V}}{820\,\text{k}\Omega}\approx13.8\,\mu\text{A}⁠,ICQ≈1.38 mAI_{CQ}\approx1.38\,\text{mA}⁠,VCEQ=12−1.38×3≈7.87 VV_{CEQ}=12-1.38\times3\approx7.87\,\text{V}⁠。
  • 升温:IBQ=11.4 V820 kΩ≈13.9 μAI_{BQ}=\dfrac{11.4\,\text{V}}{820\,\text{k}\Omega}\approx13.9\,\mu\text{A}⁠,ICQ≈150×13.9 μA≈2.09 mAI_{CQ}\approx150\times13.9\,\mu\text{A}\approx2.09\,\text{mA}⁠,VCEQ≈5.74 VV_{CEQ}\approx5.74\,\text{V}⁠。
  • 变化约 +51%。

射极偏置:IBQ=VBB−VBERb+(1+β)ReI_{BQ}=\dfrac{V_{BB}-V_{BE}}{R_b+(1+\beta)R_e}⁠。

  • 室温(⁠β=100\beta=100⁠,VBE=0.7 VV_{BE}=0.7\,\text{V}⁠):ICQ≈1.31 mAI_{CQ}\approx1.31\,\text{mA}(例题 1 已算)。
  • 升温(⁠β=150\beta=150⁠,VBE=0.6 VV_{BE}=0.6\,\text{V}⁠):IBQ=2.79−0.67.67+151×1.5 mA≈9.35 μAI_{BQ}=\dfrac{2.79-0.6}{7.67+151\times1.5}\,\text{mA}\approx9.35\,\mu\text{A}⁠,ICQ≈150×9.35 μA≈1.40 mAI_{CQ}\approx150\times9.35\,\mu\text{A}\approx1.40\,\text{mA}⁠。
  • 变化仅约 +6.8%。

看出门道了吗?β\beta涨了 50%,射极偏置电路的IBQI_{BQ} 自动从 13.1 μA 降到 9.35 μA,几乎完全抵消。只看β\beta的变化(⁠VBEV_{BE}不变),射极偏置电路的ICQI_{CQ}只从 1.31 mA 变到 1.34 mA(约 2%)。

4.5 易错点 ⚠️

  • ⚠️ 过程链少写"VBQV_{BQ}基本不变"这个前提——这是整个机理成立的条件,阅卷常作为采分点。
  • ⚠️ 写成"T↑→IBQ↑T\uparrow\to I_{BQ}\uparrow"开头:温度直接导致的是ICQI_{CQ}增大(⁠β\beta⁠、ICEOI_{CEO}变大),稳定过程里IBQI_{BQ}是减小的。
  • ⚠️ 以为ReR_e越大越好:ReR_e大,稳定性好,但会挤占VCEQV_{CEQ}(动态范围变小),没有CeC_e时还会让电压增益大幅下降(下一讲)。
  • ⚠️ 把它说成"电压反馈":取样的是电流IEQI_{EQ}⁠,不是输出电压。

五、设计:反求电阻 ⭐⭐

5.1 工程经验(教材 5.4.2)

为了稳定效果好又兼顾其他指标,工程上一般取:

  • VBQ≈13VCCV_{BQ}\approx\dfrac{1}{3}V_{CC}⁠:VBQV_{BQ}太小,VEQV_{EQ}小,VBEV_{BE}的温漂(每度几毫伏)相对影响变大;VBQV_{BQ}太大,又挤占VCEQV_{CEQ}⁠。
  • I1=(5∼10)IBQI_1=(5\sim10)I_{BQ}⁠:I1I_1太小,"分压钉不住";I1I_1太大,Rb1R_{b1}⁠、Rb2R_{b2}太小,耗电多,而且下一讲会看到它们会拉低输入电阻。
  • 相应地要求(1+β)Re≈10Rb(1+\beta)R_e\approx10R_b⁠。

5.2 设计步骤

  1. 由VBQV_{BQ}和ICQI_{CQ}定Re=VBQ−VBEQICQR_e=\dfrac{V_{BQ}-V_{BEQ}}{I_{CQ}}⁠;
  2. 由IBQ=ICQ/βI_{BQ}=I_{CQ}/\beta和I1I_1的倍数定I1I_1⁠;
  3. Rb2=VBQI1R_{b2}=\dfrac{V_{BQ}}{I_1}(近似认为I2≈I1I_2\approx I_1⁠),Rb1=VCC−VBQI1R_{b1}=\dfrac{V_{CC}-V_{BQ}}{I_1}⁠;
  4. 由VCEQV_{CEQ}定Rc=VCC−VCEQICQ−ReR_c=\dfrac{V_{CC}-V_{CEQ}}{I_{CQ}}-R_e⁠;
  5. 取标称值后回代验算(最好用戴维南精确法)。

5.3 例题 3(设计)

设计一个射极偏置电路:VCC=12 VV_{CC}=12\,\text{V}⁠,β=80\beta=80⁠,要求ICQ=1 mAI_{CQ}=1\,\text{mA}⁠、VCEQ≈4 VV_{CEQ}\approx4\,\text{V}⁠,取VBQ=4 VV_{BQ}=4\,\text{V}⁠、I1=10IBQI_1=10I_{BQ}⁠。

解:

① Re=4−0.71 mA=3.3 kΩR_e=\dfrac{4-0.7}{1\,\text{mA}}=3.3\,\text{k}\Omega⁠;

② IBQ=1 mA80=12.5 μAI_{BQ}=\dfrac{1\,\text{mA}}{80}=12.5\,\mu\text{A}⁠,I1=10IBQ=125 μAI_1=10I_{BQ}=125\,\mu\text{A}⁠;

③ Rb2=4 V125 μA=32 kΩR_{b2}=\dfrac{4\,\text{V}}{125\,\mu\text{A}}=32\,\text{k}\Omega⁠,Rb1=12−4125 μA=64 kΩR_{b1}=\dfrac{12-4}{125\,\mu\text{A}}=64\,\text{k}\Omega⁠;

④ Rc=12−41 mA−3.3 kΩ=4.7 kΩR_c=\dfrac{12-4}{1\,\text{mA}}-3.3\,\text{k}\Omega=4.7\,\text{k}\Omega⁠;

⑤ 回代验算(戴维南法):VBB=4 VV_{BB}=4\,\text{V}⁠,Rb=64∥32≈21.3 kΩR_b=64\parallel32\approx21.3\,\text{k}\Omega⁠,

IBQ=4−0.721.3+81×3.3 mA≈11.4 μA,ICQ≈0.91 mA,VCEQ≈4.65 VI_{BQ}=\frac{4-0.7}{21.3+81\times3.3}\,\text{mA}\approx11.4\,\mu\text{A},\quad I_{CQ}\approx0.91\,\text{mA},\quad V_{CEQ}\approx4.65\,\text{V}

与设计目标 1 mA 相差约 9%。原因:I1I_1只有IBQI_{BQ}的 10 倍,"抽电流"的影响不可忽略。如果要更准,可把Rb2R_{b2}略调大或把I1I_1取得更大。这道题告诉你:设计完一定要回代,考试中写一句"经验算 Q 点基本满足要求"会显得很专业。


六、了解即可:其他射极偏置形式 ⭐

  • 双电源射极偏置(教材图 5.4.5):用+VCC+V_{CC}和−VEE-V_{EE}两个电源,基极经电阻接地,IEQ≈VEE−VBEQReI_{EQ}\approx\dfrac{V_{EE}-V_{BEQ}}{R_e}(基极电阻压降可忽略时)。原理相同,都是靠ReR_e⁠。
  • 电流源偏置(教材图 5.4.7):把ReR_e换成恒流源,IEQI_{EQ}直接被电流源"定死",稳定性最好,集成电路中常用(第 11 讲电流源)。
  • 温度补偿:在偏置电路中串入热敏电阻或二极管,让它的温度特性抵消 BJT 的温漂(第 08 讲零漂抑制中会提到)。

速记卡

项目 要点
Q 点不稳的主因 温度:ICBOI_{CBO}每 10 ℃ 翻倍、β\beta每 1 ℃ +0.5%~1%、VBEV_{BE}每 1 ℃ −2~2.5 mV,都使ICQ↑I_{CQ}\uparrow
电路组成 Rb1R_{b1}⁠、Rb2R_{b2}分压定VBQV_{BQ}⁠;ReR_e取样;CeC_e交流旁路;Cb1C_{b1}⁠、Cb2C_{b2}隔直
近似估算四步 VBQ≈Rb2Rb1+Rb2VCCV_{BQ}\approx\frac{R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}}V_{CC} → ICQ≈VBQ−0.7ReI_{CQ}\approx\frac{V_{BQ}-0.7}{R_e} → IBQ=ICQβI_{BQ}=\frac{I_{CQ}}{\beta} → VCEQ=VCC−ICQ(Rc+Re)V_{CEQ}=V_{CC}-I_{CQ}(R_c+R_e)
精确法 VBB=Rb2Rb1+Rb2VCCV_{BB}=\frac{R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}}V_{CC}⁠,Rb=Rb1∥Rb2R_b=R_{b1}\parallel R_{b2}⁠,IBQ=VBB−VBEQRb+(1+β)ReI_{BQ}=\frac{V_{BB}-V_{BEQ}}{R_b+(1+\beta)R_e}
稳定过程链 T↑→ICQ↑→VEQ↑→VBQ不变VBEQ↓→IBQ↓→ICQ↓T\uparrow\to I_{CQ}\uparrow\to V_{EQ}\uparrow\xrightarrow{V_{BQ}\text{不变}}V_{BEQ}\downarrow\to I_{BQ}\downarrow\to I_{CQ}\downarrow
反馈类型 直流电流串联负反馈
稳定条件 I1≫IBQI_1\gg I_{BQ}(经验5∼105\sim10倍),VBQ≈VCC/3V_{BQ}\approx V_{CC}/3⁠,(1+β)Re≈10Rb(1+\beta)R_e\approx10R_b
最常见错误 直流通路里把ReR_e当成被CeC_e短路;VCEQV_{CEQ}漏减ICQReI_{CQ}R_e

自测练习

1. (概念)射极偏置电路中,若Rb1R_{b1}⁠、Rb2R_{b2}同时按比例增大 10 倍(比值不变),VBQV_{BQ}的近似值变不变?Q 点的稳定性是变好还是变差?为什么?

答案与提示

近似值VBQ=Rb2Rb1+Rb2VCCV_{BQ}=\frac{R_{b2}}{R_{b1}+R_{b2}}V_{CC}不变;但I1I_1减小到原来的 1/10,I1≫IBQI_1\gg I_{BQ}的条件可能不再满足,VBQV_{BQ}会随IBQI_{BQ}(随温度)变化,稳定性变差。另外RbR_b增大 10 倍,精确式分母中RbR_b与(1+β)Re(1+\beta)R_e的比值变大,ICQI_{CQ}对β\beta更敏感。(好处是输入电阻会变大,下一讲讲。)

2. (计算)VCC=15 VV_{CC}=15\,\text{V}⁠,Rb1=40 kΩR_{b1}=40\,\text{k}\Omega⁠,Rb2=10 kΩR_{b2}=10\,\text{k}\Omega⁠,Rc=4 kΩR_c=4\,\text{k}\Omega⁠,Re=1.3 kΩR_e=1.3\,\text{k}\Omega⁠,β=60\beta=60⁠,VBEQ=0.7 VV_{BEQ}=0.7\,\text{V}⁠。用近似法求 Q 点;再用戴维南法求精确的ICQI_{CQ}⁠,说明误差来源。

答案与提示

近似:VBQ=3.00 VV_{BQ}=3.00\,\text{V}⁠,ICQ≈2.31.3≈1.77 mAI_{CQ}\approx\frac{2.3}{1.3}\approx1.77\,\text{mA}⁠,IBQ≈29.5 μAI_{BQ}\approx29.5\,\mu\text{A}⁠,VCEQ=15−1.77×5.3≈5.62 VV_{CEQ}=15-1.77\times5.3\approx5.62\,\text{V}⁠,放大区。

精确:Rb=8 kΩR_b=8\,\text{k}\Omega⁠,IBQ=2.38+61×1.3 mA≈26.3 μAI_{BQ}=\frac{2.3}{8+61\times1.3}\,\text{mA}\approx26.3\,\mu\text{A}⁠,ICQ≈1.58 mAI_{CQ}\approx1.58\,\text{mA}⁠,VCEQ≈6.59 VV_{CEQ}\approx6.59\,\text{V}⁠。误差约 12%,因为β\beta只有 60,(1+β)Re=79.3 kΩ(1+\beta)R_e=79.3\,\text{k}\Omega只有RbR_b的约 10 倍,I1I_1约为IBQI_{BQ}的 12 倍,倍数都不算大,近似误差就上来了。

3. (稳定性)例题 1 的电路,若电源从 12 V 升到 13.2 V(+10%),用精确法求ICQI_{CQ}的变化。射极偏置能抑制电源波动吗?

答案与提示

ICQI_{CQ}从 1.31 mA 变为约 1.49 mA,增大约 13%。VBQV_{BQ}本身正比于VCCV_{CC}⁠,所以电源波动不能被ReR_e抑制——它稳定的是"管子参数(温度、β\beta⁠)变化"引起的漂移。电源要靠稳压电源解决(第 18 讲)。

4. (故障,真题风格)例题 1 的电路中,若旁路电容CeC_e击穿短路,Q 点会怎样?判断管子工作状态。

答案与提示

CeC_e短路相当于Re=0R_e=0⁠,发射极直接接地,VBEQV_{BEQ}被迫等于基极戴维南电压 2.79 V 减去RbR_b上的压降,基极电流由RbR_b限制:IBQ≈2.79−0.77.67 kΩ≈272 μAI_{BQ}\approx\frac{2.79-0.7}{7.67\,\text{k}\Omega}\approx272\,\mu\text{A}⁠,βIBQ≈27 mA\beta I_{BQ}\approx27\,\text{mA}⁠,远大于集电极最大可能电流ICS≈12−0.33 kΩ=3.9 mAI_{CS}\approx\frac{12-0.3}{3\,\text{k}\Omega}=3.9\,\text{mA}⁠,管子进入饱和区,VCEQ≈0.3 VV_{CEQ}\approx0.3\,\text{V}⁠。同时失去了直流负反馈。

5. (设计)VCC=9 VV_{CC}=9\,\text{V}⁠,β=100\beta=100⁠,要求ICQ=1.5 mAI_{CQ}=1.5\,\text{mA}⁠、VCEQ=3 VV_{CEQ}=3\,\text{V}⁠,取VBQ=3 VV_{BQ}=3\,\text{V}⁠、I1=10IBQI_1=10I_{BQ}⁠。求各电阻;再按标称值Rb1=40 kΩR_{b1}=40\,\text{k}\Omega⁠、Rb2=20 kΩR_{b2}=20\,\text{k}\Omega⁠、Rc=2.4 kΩR_c=2.4\,\text{k}\Omega⁠、Re=1.5 kΩR_e=1.5\,\text{k}\Omega回代精确验算。

答案与提示

IBQ=15 μAI_{BQ}=15\,\mu\text{A}⁠,I1=150 μAI_1=150\,\mu\text{A}⁠;Rb2=3/0.15=20 kΩR_{b2}=3/0.15=20\,\text{k}\Omega⁠,Rb1=6/0.15=40 kΩR_{b1}=6/0.15=40\,\text{k}\Omega⁠;Re=2.3/1.5≈1.53 kΩR_e=2.3/1.5\approx1.53\,\text{k}\Omega⁠;Rc=9−31.5−1.53≈2.47 kΩR_c=\frac{9-3}{1.5}-1.53\approx2.47\,\text{k}\Omega⁠。

验算:Rb=13.3 kΩR_b=13.3\,\text{k}\Omega⁠,IBQ=3−0.713.3+101×1.5 mA≈14.0 μAI_{BQ}=\frac{3-0.7}{13.3+101\times1.5}\,\text{mA}\approx14.0\,\mu\text{A}⁠,ICQ≈1.40 mAI_{CQ}\approx1.40\,\text{mA}⁠,VCEQ≈3.54 VV_{CEQ}\approx3.54\,\text{V}⁠,基本满足要求。

6. (判断)下列说法对吗?(a) 射极偏置电路的ICQI_{CQ}与β\beta完全无关;(b) ReR_e引入的是交流负反馈;(c) 有CeC_e时,ReR_e不影响静态工作点;(d) 稳定 Q 点的前提之一是基极电位基本固定。

答案与提示

(a) 错,是"基本无关",精确式里β\beta仍出现在分母;(b) 错,有CeC_e时是直流负反馈(没有CeC_e时交直流都有);(c) 错,CeC_e只对交流短路,直流时ReR_e照样决定IEQI_{EQ}⁠;(d) 对。

7. (真题风格综合)画出基极分压式射极偏置共射放大电路(带负载RLR_L⁠),写出其静态工作点的估算式,并用过程链说明它稳定 Q 点的原理。

答案与提示

电路见图 1(要画出Rb1R_{b1}⁠、Rb2R_{b2}⁠、RcR_c⁠、ReR_e⁠、CeC_e⁠、Cb1C_{b1}⁠、Cb2C_{b2}⁠、RLR_L⁠、VCCV_{CC}和输入、输出端)。估算式见第三节四步公式。过程链见第四节,记得写"VBQV_{BQ}由Rb1R_{b1}⁠、Rb2R_{b2}分压基本固定"这个前提,结论写"ReR_e引入直流电流串联负反馈,自动稳定ICQI_{CQ}"。

下一讲预告

下一讲把这个电路"通上交流":画小信号等效电路,算AvA_v⁠、RiR_i⁠、RoR_o⁠,看旁路电容CeC_e怎样化解"稳定与增益"的矛盾,并把 2026 回忆题第 2 题 (1)~(5) 一问一问讲透。

👉 点击进入下一讲:第06讲(下)|射极偏置电路的动态分析、旁路电容与带负载能力(真题2全解)

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