第 200 篇

考研模电·零基础讲义 第11讲(下)|有源负载差分放大与集成运放的内部结构

约 20 分钟 6378 字 华南师范大学模拟电子技术考研模电零基础讲义

考研模电·零基础讲义 · 第 11 讲(下)|有源负载差分放大与集成运放的内部结构(MOS 集成电路分析) 学完这一讲,你能看懂"电流源偏置 + 差分输入 + 有源负载 + 第二级"这种 MOS 集成放大电路:说出每只管子的作用,算出差分对管的静态电流(包括中间接调零电位器的情况),估算总电压增益——也就是把 2026 回忆题第 4 题的三问完整做一遍。预计用时 150 分钟。

本讲地图

  • 有源负载(⭐⭐⭐):用镜像电流源代替差分对的漏极电阻,单端输出就能得到双端输出的增益:Avd2=gm(rds2∥rds4)A_{vd2}=g_m(r_{ds2}\parallel r_{ds4})(教材式 7.4.6)。
  • 集成运放的四个组成部分(⭐⭐):偏置电路、差分输入级、中间(电压放大)级、输出级。
  • MOS 集成电路分析三问(⭐⭐⭐,对应 2026 回忆题第 4 题):① 各管构成什么电路、作用;② 差分对管静态电流(中间接电位器);③ 估算总电压增益Av=Av1Av2A_v=A_{v1}A_{v2}⁠。本讲用一道自行设计的典型电路完整演示(原题图未保存,这不是原图)。
  • BJT 有源负载、LM741 简介(⭐,了解即可)。
  • 教材对应:第 7 章 7.4 节(带有源负载的差分电路)、7.5 节(7.5.1 CMOS MC14573、7.5.2 LM741);第 4 章 4.6.3 节(CMOS 共源放大电路)。

前置知识

  • 镜像/多路电流源、"认电流源"的模板:见第 11 讲(上)。
  • 差分电路的静态、差模增益、调零电位器:见第 11 讲(中)。
  • 共源放大电路增益−gm×-g_m\times漏极总交流电阻:见第 10 讲(中)。
  • 多级放大:总增益 = 各级增益之积,前级负载 = 后级输入电阻:见第 08 讲。

一、有源负载:为什么要用电流源当负载 ⭐⭐⭐

1.1 大白话

共源放大电路的增益是Av=−gmRdA_v=-g_mR_d⁠。想要增益大,就得RdR_d大。可RdR_d一大,问题就来了:

  • 静态电流IDI_D流过RdR_d⁠,压降IDRdI_DR_d很大,电源电压不够用(比如0.1 mA×500 kΩ=50 V0.1\ \text{mA}\times500\ \text{k}\Omega=50\ \text{V}⁠!);
  • 芯片上做几百千欧的电阻又贵又不准。

想要的负载是:对直流"好说话"(压降小),对交流"很倔强"(电阻大)。 电流源正好就是这样:直流上它只需要零点几伏到一两伏就能工作,交流上它的电阻是rdsr_{ds}⁠,几百千欧。用电流源(管子)代替电阻当负载,叫有源负载。

1.2 有源负载差分放大电路的结构(教材图 7.4.1)

  • NMOS 差分对T1T_1⁠、T2T_2⁠,尾部接电流源I0I_0⁠;
  • 上面一对 PMOS 管T3T_3⁠、T4T_4组成镜像电流源:T3T_3漏栅短接、接在T1T_1的漏极;T4T_4接在T2T_2的漏极;
  • 从T2T_2⁠、T4T_4的公共漏极单端输出。

1.3 工作原理:单端输出拿到"两份"电流

静态:ID1=ID2=I0/2I_{D1}=I_{D2}=I_0/2⁠;T3T_3的电流就是ID1I_{D1}⁠,T4T_4镜像它,ID4=ID3=I0/2=ID2I_{D4}=I_{D3}=I_0/2=I_{D2}⁠,流进输出节点和流出的电流相等,输出电流为零。

差模输入 vi1=−vi2=vid/2v_{i1}=-v_{i2}=v_{id}/2(教材式 7.4.2~7.4.4):

  1. T1T_1电流增加idi_d⁠,T2T_2电流减少idi_d⁠,id=gmvid2i_d=g_m\dfrac{v_{id}}{2}⁠;
  2. T3T_3和T1T_1串联,T3T_3电流也增加idi_d⁠;
  3. T4T_4镜像T3T_3⁠,T4T_4电流也增加idi_d——它把左边的信号电流"搬"到了右边;
  4. 输出节点:T4T_4送进来的多了idi_d⁠,T2T_2抽走的少了idi_d⁠,净流出到负载的信号电流是
io=id4−id2=id−(−id)=2id=gmvidi_o=i_{d4}-i_{d2}=i_d-(-i_d)=2i_d=g_mv_{id}

普通电阻负载的单端输出只用到一边的idi_d⁠;有源负载把两边的信号电流都用上了,单端输出得到了双端输出的效果。

1.4 增益公式

输出节点对交流地的电阻是T2T_2和T4T_4的输出电阻并联rds2∥rds4r_{ds2}\parallel r_{ds4}(负载开路时),所以(教材式 7.4.6a、7.4.6b)

Avd2=vo2vid=gm(rds2∥rds4)=22KnI0⋅1λ2+λ4A_{vd2}=\frac{v_{o2}}{v_{id}}=g_m(r_{ds2}\parallel r_{ds4})=2\sqrt{\frac{2K_n}{I_0}}\cdot\frac{1}{\lambda_2+\lambda_4} Rod=rds2∥rds4,Rid→∞R_{od}=r_{ds2}\parallel r_{ds4},\qquad R_{id}\to\infty

其中gm=2KnID2=2KnI0g_m=2\sqrt{K_nI_{D2}}=\sqrt{2K_nI_0}⁠,rds2=1λ2ID2r_{ds2}=\dfrac{1}{\lambda_2I_{D2}}⁠,rds4=1λ4ID4r_{ds4}=\dfrac{1}{\lambda_4I_{D4}}⁠。

逐项拆解:

  • 正号:对vid=vi1−vi2v_{id}=v_{i1}-v_{i2}而言,从T2T_2漏极取出是同相的(⁠vi1v_{i1}增大 → 输出升高)。所以T1T_1栅极是"同相端"、T2T_2栅极是"反相端"——哪个是同相端,要看输出取自哪一边。
  • 注意第二个等号里I0I_0在分母:尾电流越小,增益反而越大(⁠gm∝Ig_m\propto\sqrt{I}而rds∝1/Ir_{ds}\propto1/I⁠)。代价是速度变慢、带负载能力变差。

例 1:有源负载 CMOS 差分电路I0=0.2 mAI_0=0.2\ \text{mA}⁠,NMOS 差分管Kn=0.5 mA/V2K_n=0.5\ \text{mA/V}^2⁠,所有管子λ=0.02 V−1\lambda=0.02\ \text{V}^{-1}⁠。求gmg_m⁠、rds2r_{ds2}⁠、rds4r_{ds4}⁠、Avd2A_{vd2}⁠、RodR_{od}⁠;并和"同样的差分对、漏极接Rd=20 kΩR_d=20\ \text{k}\Omega电阻、单端输出"比较。

解:ID2=ID4=0.1 mAI_{D2}=I_{D4}=0.1\ \text{mA}⁠。

gm=20.5×0.1≈0.447 mS,rds2=rds4=10.02×0.1=500 kΩg_m=2\sqrt{0.5\times0.1}\approx0.447\ \text{mS},\qquad r_{ds2}=r_{ds4}=\frac{1}{0.02\times0.1}=500\ \text{k}\Omega Avd2=0.447×(500∥500)=0.447×250≈111.8,Rod=250 kΩA_{vd2}=0.447\times(500\parallel500)=0.447\times250\approx111.8,\qquad R_{od}=250\ \text{k}\Omega

用公式22×0.50.2×10.04=2×2.236×25≈111.82\sqrt{\dfrac{2\times0.5}{0.2}}\times\dfrac{1}{0.04}=2\times2.236\times25\approx111.8 ✓。

电阻负载单端输出:∣Avd1∣=gmRd2=0.447×202≈4.47|A_{vd1}|=\dfrac{g_mR_d}{2}=\dfrac{0.447\times20}{2}\approx4.47⁠。有源负载的增益是它的 25 倍。

1.5 BJT 有源负载(了解即可)⭐

结构相同(教材图 7.4.3):NPN 差分对 + PNP 镜像负载,尾部比例电流源。单端输出差模增益(教材式 7.4.9):

Avd2=β(rce2∥rce4)rbeA_{vd2}=\frac{\beta(r_{ce2}\parallel r_{ce4})}{r_{be}}

例 2:β=100\beta=100⁠,IC=0.5 mAI_C=0.5\ \text{mA}⁠,厄雷电压VA=100 VV_A=100\ \text{V}(⁠rce=VA/ICr_{ce}=V_A/I_C⁠)。求Avd2A_{vd2}⁠。

解:rbe=200+101×260.5=5452 Ωr_{be}=200+101\times\dfrac{26}{0.5}=5452\ \Omega⁠,rce=1000.5=200 kΩr_{ce}=\dfrac{100}{0.5}=200\ \text{k}\Omega⁠,Avd2=100×1005.452≈1834A_{vd2}=\dfrac{100\times100}{5.452}\approx1834⁠。BJT 跨导大,同样结构增益高得多。

⚠️ 易错点:

  1. 有源负载电路的增益里没有RdR_d,是rdsr_{ds}并联;忘了λ\lambda就会得出"增益无穷大"。
  2. 有源负载差分电路"通常只用单端输出"(教材原话),不要再除以 2。
  3. 漏栅短接的那只 PMOS(⁠T3T_3⁠)接在哪一边,信号就从那一边被"搬"到另一边。

二、集成运放的内部结构 ⭐⭐

集成运放的内部组成框图输入级差分放大抑制零漂、高 KCMR中间级共射/共源有源负载、高增益输出级跟随器/推挽Ro 小、带负载vov+v−偏置电路(镜像/比例/多路电流源)

图 1:集成运放的组成框图,红点示意信号逐级传递(动画循环播放)

集成运放是一个高增益的多级直接耦合放大器,一般由四部分组成(教材 7.5 节):

组成 常用电路 作用 要求
输入级 差分放大电路(常带有源负载) 抑制零漂和共模干扰;决定输入电阻 KCMRK_{CMR}高、RiR_i大、失调小
中间级 共射/共源放大(有源负载,或复合管) 提供主要电压增益 增益高
输出级 射极/源极跟随器、互补推挽 带负载 RoR_o小、输出幅度大
偏置电路 镜像、比例、多路、微电流源 给各级提供稳定的静态电流 稳定、受温度和电源影响小

另外常有:电平移动(保证输入为零时输出为零)、补偿电容CcC_c(防止自激振荡)、过载保护等。

2.1 两个教材实例(了解结构即可)⭐

  • CMOS MC14573(教材图 7.5.1):PMOS 差分对T1T_1⁠、T2T_2 + NMOS 镜像有源负载T3T_3⁠、T4T_4⁠;PMOS 镜像T5T_5⁠、T6T_6提供尾电流(基准由外接RREFR_{REF}决定);T7T_7共源输出级、T8T_8为其电流源负载。总增益Av=Av1Av2A_v=A_{v1}A_{v2}⁠,Av1=−gm2(rds2∥rds4)A_{v1}=-g_{m2}(r_{ds2}\parallel r_{ds4})⁠,Av2=−gm7(rds7∥rds8)A_{v2}=-g_{m7}(r_{ds7}\parallel r_{ds8})(教材式 7.5.4~7.5.6)。它和下面的例题是同一种"两级 CMOS"结构,只是 N/P 对调了。
  • BJT LM741(教材图 7.5.2):24 个 BJT,偏置用几组微电流源;输入级是共集-共基差分电路加有源负载;中间级是复合管共射放大;输出级是互补推挽。输入级T5T_5⁠、T6T_6发射极可外接调零电位器RPR_P⁠、滑动端接−VEE-V_{EE}⁠,"以保证静态时输出为零"(教材原文)——这就是"差分管中间接电位器"的来历。

三、完整例题:MOS 集成放大电路三问(仿 2026 回忆题第 4 题)⭐⭐⭐

说明:2026 回忆题第 4 题原图没有保存。下面是按题意自行设计的典型电路(MOS 电流源偏置 + 带调零电位器的差分输入级 + 有源负载 + 共源第二级),用来完整演示这类题的做法,不是原题图。管子编号故意让差分对是T4T_4⁠、T5T_5⁠,和回忆题的问法对应。

3.1 题目

例题电路:MOS 电流源偏置 + 带调零电位器的差分输入级 + 有源负载 + 共源第二级+VDD(+5 V)−VSS(−5 V)RREF 80 kΩT1T2T3vi1(−)vi2(+)T4T5RP 1 kΩT6T7XT8vo偏置基准差分输入级有源负载第二级有源负载

图 2:例题电路(自行设计),橙点示意差分级静态电流经调零电位器流入尾电流源(动画循环播放)

已知:VDD=VSS=5 VV_{DD}=V_{SS}=5\ \text{V}⁠;所有 NMOS VTN=1 VV_{TN}=1\ \text{V}⁠,所有 PMOS ∣VTP∣=1 V|V_{TP}|=1\ \text{V}⁠,所有管子λ=0.02 V−1\lambda=0.02\ \text{V}^{-1}(静态计算时忽略λ\lambda⁠);RREF=80 kΩR_{REF}=80\ \text{k}\Omega⁠;调零电位器RP=1 kΩR_P=1\ \text{k}\Omega⁠,滑动端在中点。各管电导常数:

管子 T1T_1 T2T_2 T3T_3 T4T_4⁠、T5T_5 T6T_6⁠、T7T_7 T8T_8
类型 NMOS NMOS NMOS NMOS PMOS PMOS
KK(⁠mA/V2\text{mA/V}^2⁠) 0.1 0.2 0.2 0.5 0.25 0.5

vi1v_{i1}加在T4T_4栅极,vi2v_{i2}加在T5T_5栅极,输出vov_o取自T8T_8⁠、T3T_3的公共漏极。

(1) 图中各 MOS 管构成什么电路?各起什么作用? (2) 求T4T_4⁠、T5T_5的静态电流,并检查各管是否工作在饱和区。 (3) 估算总电压增益Av=vovi1−vi2A_v=\dfrac{v_o}{v_{i1}-v_{i2}}⁠,并指出哪个是同相输入端。

3.2 第 (1) 问:认电路(按第 11 讲(上)的扫图模板)

第一步,找漏栅短接的管子:T1T_1(NMOS,经RREFR_{REF}接VDDV_{DD}⁠)、T6T_6(PMOS,接T4T_4漏极)。

第二步,找和它们栅极相连的管子:

  • T2T_2⁠、T3T_3的栅极接T1T_1栅极、源极接−VSS-V_{SS} → T1T_1⁠、T2T_2⁠、T3T_3构成 NMOS 多路(比例)电流源;
  • T7T_7的栅极接T6T_6栅极、源极接VDDV_{DD} → T6T_6⁠、T7T_7构成 PMOS 镜像电流源。

第三步,看输出管漏极接哪里,写作用:

管子 构成的电路 作用
RREFR_{REF}⁠、T1T_1 基准电流电路 产生基准电流IREFI_{REF}⁠,给T2T_2⁠、T3T_3提供栅压
T2T_2 比例电流源(与T1T_1⁠) 经RPR_P滑动端为差分对提供恒定尾电流 I0I_0⁠;输出电阻大,提高共模抑制比
T4T_4⁠、T5T_5 源极耦合差分放大电路(输入级) 放大差模信号、抑制共模信号和零点漂移
RPR_P 调零电位器 调节两管源极电阻之比,补偿不对称,使vi1=vi2=0v_{i1}=v_{i2}=0时输出为零
T6T_6⁠、T7T_7 PMOS 镜像电流源 作差分对的有源负载,把双端输出转为单端输出且不损失增益,提高第一级增益
T8T_8 PMOS 共源放大电路(第二级) 提供第二级电压增益
T3T_3 比例电流源(与T1T_1⁠) 为T8T_8提供偏置电流,同时作T8T_8的有源负载

总结一句:这是一个"电流源偏置的两级 CMOS 运算放大器"——第一级为带有源负载的差分输入级,第二级为带有源负载的共源放大级。

3.3 第 (2) 问:静态电流

① 基准电流:IREF=VDD+VSS−VGS1RREFI_{REF}=\dfrac{V_{DD}+V_{SS}-V_{GS1}}{R_{REF}}与IREF=K1(VGS1−VTN)2I_{REF}=K_1(V_{GS1}-V_{TN})^2联立:

10−VGS180=0.1(VGS1−1)2 ⇒ 8VGS12−15VGS1−2=0 ⇒ VGS1=2 V\frac{10-V_{GS1}}{80}=0.1(V_{GS1}-1)^2\ \Rightarrow\ 8V_{GS1}^2-15V_{GS1}-2=0\ \Rightarrow\ V_{GS1}=2\ \text{V}

(另一根−0.125 V-0.125\ \text{V}舍去)。IREF=10−280=0.1 mAI_{REF}=\dfrac{10-2}{80}=0.1\ \text{mA}⁠。

② 各路电流(同VGSV_{GS}⁠,电流之比 = KK之比):

I0=ID2=K2K1IREF=2×0.1=0.2 mA,ID3=K3K1IREF=0.2 mAI_0=I_{D2}=\frac{K_2}{K_1}I_{REF}=2\times0.1=0.2\ \text{mA},\qquad I_{D3}=\frac{K_3}{K_1}I_{REF}=0.2\ \text{mA}

③ T4T_4⁠、T5T_5的静态电流:两管特性相同,栅极静态都接地(⁠vi1=vi2=0v_{i1}=v_{i2}=0⁠),RPR_P滑动端居中,两管源极到公共点的电阻都是RP/2=0.5 kΩR_P/2=0.5\ \text{k}\Omega⁠,电路完全对称;尾电流由电流源T2T_2固定为I0I_0⁠:

ID4=ID5=I02=0.1 mAI_{D4}=I_{D5}=\frac{I_0}{2}=0.1\ \text{mA}

这个结果和RPR_P的阻值无关——电位器只是在两管源极各串了一段相等的电阻,总电流仍由T2T_2决定。

④ 有源负载与第二级:ID6=ID4=0.1 mAI_{D6}=I_{D4}=0.1\ \text{mA}⁠,T7T_7镜像得ID7=0.1 mA=ID5I_{D7}=0.1\ \text{mA}=I_{D5} ✓。T8T_8电流由T3T_3确定为0.2 mA0.2\ \text{mA}⁠。

⑤ 检查饱和(算出各点电位):

管子 计算 饱和条件 结论
T4T_4⁠、T5T_5 VGS=1+0.1/0.5≈1.447 VV_{GS}=1+\sqrt{0.1/0.5}\approx1.447\ \text{V}⁠,源极≈−1.447 V\approx-1.447\ \text{V} VDS≥0.447 VV_{DS}\geq0.447\ \text{V} VDS≈3.37+1.45=4.81 VV_{DS}\approx3.37+1.45=4.81\ \text{V} ✓
T6T_6⁠、T7T_7 VSG=1+0.1/0.25≈1.632 VV_{SG}=1+\sqrt{0.1/0.25}\approx1.632\ \text{V}⁠,漏极≈3.37 V\approx3.37\ \text{V} VSD≥0.632 VV_{SD}\geq0.632\ \text{V} T6T_6漏栅短接 ✓;T7T_7的VSD=VSGV_{SD}=V_{SG}(对称)✓
T2T_2 漏极 = 滑动端≈−1.447−0.1×0.5≈−1.50 V\approx-1.447-0.1\times0.5\approx-1.50\ \text{V} VDS≥VGS2−VTN=1 VV_{DS}\geq V_{GS2}-V_{TN}=1\ \text{V} VDS≈3.50 VV_{DS}\approx3.50\ \text{V} ✓
T8T_8 栅极接节点 X(⁠≈3.37 V\approx3.37\ \text{V}⁠),VSG8≈1.632 VV_{SG8}\approx1.632\ \text{V} — 此时0.5×0.6322≈0.2 mA0.5\times0.632^2\approx0.2\ \text{mA}⁠,恰与T3T_3相等 ✓
T8T_8⁠、T3T_3 取输出静态电位≈0\approx0 VSD8≥0.632V_{SD8}\geq0.632⁠,VDS3≥1 VV_{DS3}\geq1\ \text{V} 各约 5 V ✓

设计上的小心思:T8T_8的电流是T7T_7的 2 倍,所以把K8K_8取成K7K_7的 2 倍,让VSG8=VSG7V_{SG8}=V_{SG7}⁠。这样静态时T8T_8的电流正好等于T3T_3送来的电流,输出才能停在中间(这和教材 MC14573 让T7T_7宽长比是T3T_3⁠、T4T_4的 2 倍是同一个道理)。实际运放总是接成负反馈使用,输出的静态电位由反馈决定。

3.4 第 (3) 问:估算总电压增益

① 小信号参数:

gm4=gm5=2K4ID4=20.5×0.1≈0.447 mSg_{m4}=g_{m5}=2\sqrt{K_4I_{D4}}=2\sqrt{0.5\times0.1}\approx0.447\ \text{mS} gm8=2K8ID8=20.5×0.2≈0.632 mSg_{m8}=2\sqrt{K_8I_{D8}}=2\sqrt{0.5\times0.2}\approx0.632\ \text{mS} rds5=rds7=10.02×0.1=500 kΩ,rds8=rds3=10.02×0.2=250 kΩr_{ds5}=r_{ds7}=\frac{1}{0.02\times0.1}=500\ \text{k}\Omega,\qquad r_{ds8}=r_{ds3}=\frac{1}{0.02\times0.2}=250\ \text{k}\Omega

② 第一级(有源负载差分级):差模时每管源极到交流地之间串着RP/2R_P/2⁠,跨导被"打折"成

Gm=gm1+gmRP2=0.4471+0.447×0.5≈0.365 mSG_m=\frac{g_m}{1+g_m\dfrac{R_P}{2}}=\frac{0.447}{1+0.447\times0.5}\approx0.365\ \text{mS}

(就像共源电路带了不旁路的源极电阻,第 10 讲(中)5.3 节。)第二级是 MOS 栅极,输入电阻无穷大,第一级等于空载:

Av1≈Gm(rds5∥rds7)=0.365×250≈91A_{v1}\approx G_m(r_{ds5}\parallel r_{ds7})=0.365\times250\approx91

③ 第二级(带有源负载的共源级):

Av2=−gm8(rds8∥rds3)=−0.632×125≈−79A_{v2}=-g_{m8}(r_{ds8}\parallel r_{ds3})=-0.632\times125\approx-79

④ 总增益:

Av=Av1⋅Av2≈91×(−79)≈−7.2×103(≈77 dB)A_v=A_{v1}\cdot A_{v2}\approx91\times(-79)\approx-7.2\times10^3\quad(\approx77\ \text{dB})

⑤ 判同相/反相端:vi1v_{i1}增大 → T4T_4电流增大 → 经T6T_6⁠、T7T_7镜像,T7T_7送入节点 X 的电流增大,同时T5T_5电流减小 → X 点电位升高 → T8T_8的VSGV_{SG}减小、电流减小 → 输出降低。所以Av<0A_v<0⁠:T4T_4栅极(⁠vi1v_{i1}⁠)是反相输入端,T5T_5栅极(⁠vi2v_{i2}⁠)是同相输入端。

更精确一点(不要求,但值得知道):源极串了电阻后,从T5T_5漏极看进去的输出电阻也会变大,约rds5(1+gmRP/2)≈612 kΩr_{ds5}(1+g_mR_P/2)\approx612\ \text{k}\Omega⁠,于是Av1≈0.365×(612∥500)≈101A_{v1}\approx0.365\times(612\parallel500)\approx101⁠,总增益约−8.0×103-8.0\times10^3⁠。用节点电压法对整个小信号电路精确求解(验算脚本)得Av1≈100.2A_{v1}\approx100.2⁠、Av≈−7.9×103A_v\approx-7.9\times10^3⁠。"估算"给出−7×103∼−8×103-7\times10^3\sim-8\times10^3量级即可,关键是方法:Av=Av1Av2A_v=A_{v1}A_{v2}⁠,每级 = 跨导 × 该级输出节点的总交流电阻。

3.5 答题模板(三问通用)⭐⭐⭐

(1) 认电路: "TaT_a漏栅短接为基准管,与TbT_b⁠、TcT_c构成多路电流源,基准电流IREF=VDD+VSS−VGSRI_{REF}=\dfrac{V_{DD}+V_{SS}-V_{GS}}{R}⁠;TbT_b为差分输入级提供尾电流;TxT_x⁠、TyT_y构成源极耦合差分放大电路(输入级),抑制零漂;TmT_m⁠、TnT_n构成镜像电流源作有源负载,实现双端变单端并提高增益;TkT_k为共源放大级(中间级/输出级),TcT_c为其提供偏置并作有源负载;RPR_P为调零电位器。"

(2) 静态电流: "IREF=⋯I_{REF}=\cdots → 按宽长比(或KK⁠)之比得尾电流I0=⋯I_0=\cdots → 电位器滑动端居中、电路对称,ID4=ID5=I0/2=⋯I_{D4}=I_{D5}=I_0/2=\cdots⁠。"

(3) 增益: "gm=2KnIDg_m=2\sqrt{K_nI_D}⁠,rds=1λIDr_{ds}=\dfrac{1}{\lambda I_D}⁠;第一级Av1=gm(rds∥rds)A_{v1}=g_m(r_{ds}\parallel r_{ds})(有电位器时gmg_m换成gm1+gmRP/2\dfrac{g_m}{1+g_mR_P/2}⁠);第二级Av2=−gm(rds∥rds)A_{v2}=-g_m(r_{ds}\parallel r_{ds})⁠;第二级输入电阻无穷大,Av=Av1Av2A_v=A_{v1}A_{v2}⁠;说明符号与同相/反相端。"

3.6 变式练手 ⭐⭐⭐

变式 1(滑动端不在中点):例题中若滑动端偏向T4T_4一侧,使T4T_4侧0.4 kΩ0.4\ \text{k}\Omega⁠、T5T_5侧0.6 kΩ0.6\ \text{k}\Omega⁠,T4T_4⁠、T5T_5静态电流各多少?

解:两管栅极都在 0 V,源极支路并联在同一对电位之间:

VGS4+ID4×0.4=VGS5+ID5×0.6,ID4+ID5=0.2 mA,VGS=1+ID/0.5V_{GS4}+I_{D4}\times0.4=V_{GS5}+I_{D5}\times0.6,\qquad I_{D4}+I_{D5}=0.2\ \text{mA},\qquad V_{GS}=1+\sqrt{I_D/0.5}

数值求解得ID4≈0.104 mAI_{D4}\approx0.104\ \text{mA}⁠、ID5≈0.096 mAI_{D5}\approx0.096\ \text{mA}⁠:电阻小的一侧电流大,但总和仍是0.2 mA0.2\ \text{mA}。

变式 2(用电位器补偿失配):若T5T_5实际K5=0.55 mA/V2K_5=0.55\ \text{mA/V}^2(比T4T_4大 10%)。(1) 滑动端居中时两管电流各多少?(2) 滑动端怎样调才能使两管电流相等?

解:(1) 数值求解得ID4≈0.096 mAI_{D4}\approx0.096\ \text{mA}⁠、ID5≈0.104 mAI_{D5}\approx0.104\ \text{mA}⁠,不再相等,输入为零时输出偏离——失调。

(2) 要ID4=ID5=0.1 mAI_{D4}=I_{D5}=0.1\ \text{mA}⁠,两管VGSV_{GS}之差

ΔVGS=VGS4−VGS5=0.10.5−0.10.55≈0.447−0.426=0.021 V\Delta V_{GS}=V_{GS4}-V_{GS5}=\sqrt{\frac{0.1}{0.5}}-\sqrt{\frac{0.1}{0.55}}\approx0.447-0.426=0.021\ \text{V}

要由电位器两段的压降之差补上:0.1 mA×(Rb′−Ra)=0.021 V0.1\ \text{mA}\times(R_{b}'-R_a)=0.021\ \text{V}⁠,Rb′−Ra≈208 ΩR_b'-R_a\approx208\ \Omega⁠,即Ra≈396 ΩR_a\approx396\ \Omega(⁠T4T_4侧)、Rb′≈604 ΩR_b'\approx604\ \Omega(⁠T5T_5侧)。验算:此时两管电流都是0.100 mA0.100\ \text{mA} ✓。这就是"调零"的实质。

变式 3(去掉电位器):RP=0R_P=0时Av1=gm(rds5∥rds7)≈111.8A_{v1}=g_m(r_{ds5}\parallel r_{ds7})\approx111.8⁠,Av≈111.8×(−79.1)≈−8.8×103A_v\approx111.8\times(-79.1)\approx-8.8\times10^3⁠。电位器使增益下降约 18%(估算口径),这是调零的代价。

变式 4(尾电流改变):若T2T_2的K2K_2改为0.4 mA/V20.4\ \text{mA/V}^2(⁠I0=0.4 mAI_0=0.4\ \text{mA}⁠),其他不变(不计电位器),第一级增益怎样变? 提示:Av1=22KnI0⋅1λ5+λ7∝1I0A_{v1}=2\sqrt{\dfrac{2K_n}{I_0}}\cdot\dfrac{1}{\lambda_5+\lambda_7}\propto\dfrac{1}{\sqrt{I_0}}⁠,I0I_0加倍,Av1A_{v1}变为原来的1/21/\sqrt2⁠,约7979⁠。

⚠️ 易错点:

  1. 回答"静态电流"时,先说对称、再说各一半,不要直接写一个数;有电位器还要点明"滑动端居中"。
  2. 第一级的负载是第二级的栅极,输入电阻无穷大,不要再并什么电阻;第二级(输出级)的负载是T3T_3的rdsr_{ds}⁠,空载时不再并RLR_L⁠。
  3. 有源负载电路增益很大,结果在102∼10410^2\sim10^4量级很正常;若算出零点几或几十万,回头查单位(mS × kΩ = 无量纲)和rdsr_{ds}是否用对了电流。
  4. 符号别乱写:第一级(对vi1−vi2v_{i1}-v_{i2}⁠,从T5T_5侧输出)为正,第二级共源为负。

速记卡

项目 结论
有源负载作用 直流压降小、交流电阻大;差分电路中实现双端变单端且增益不减半
MOS 有源负载差分级 Avd2=gm(rds2∥rds4)=22KnI0⋅1λ2+λ4A_{vd2}=g_m(r_{ds2}\parallel r_{ds4})=2\sqrt{\dfrac{2K_n}{I_0}}\cdot\dfrac{1}{\lambda_2+\lambda_4}
BJT 有源负载差分级 Avd2=β(rce2∥rce4)rbeA_{vd2}=\dfrac{\beta(r_{ce2}\parallel r_{ce4})}{r_{be}}
带有源负载的共源级 Av=−gm(rds∥rds,负载)A_v=-g_m(r_{ds}\parallel r_{ds,\text{负载}})
带电位器 gm→gm1+gmRP/2g_m\to\dfrac{g_m}{1+g_mR_P/2}⁠;静态仍各I0/2I_0/2
运放组成 偏置电路 + 差分输入级 + 中间级 + 输出级
总增益 Av=Av1Av2A_v=A_{v1}A_{v2}(后级栅极输入电阻∞\infty⁠)
认管口诀 漏栅短接 = 基准;栅极相连 = 镜像;接公共源极 = 尾电流;接漏极 = 有源负载

自测练习

1. 有源负载 MOS 差分级gm=1 mSg_m=1\ \text{mS}⁠,rds2=rds4=200 kΩr_{ds2}=r_{ds4}=200\ \text{k}\Omega⁠,空载。求Avd2A_{vd2}和RodR_{od}⁠。

答案与提示

Avd2=1×(200∥200)=100A_{vd2}=1\times(200\parallel200)=100⁠,Rod=100 kΩR_{od}=100\ \text{k}\Omega⁠。

2. 两级放大Av1=100A_{v1}=100⁠、Av2=−80A_{v2}=-80⁠,后级输入电阻无穷大。总增益是多少?合多少 dB?

答案与提示

Av=−8000A_v=-8000⁠,20lg⁡8000≈78 dB20\lg8000\approx78\ \text{dB}⁠。

3. 有源负载差分级I0=0.1 mAI_0=0.1\ \text{mA}⁠,Kn=0.25 mA/V2K_n=0.25\ \text{mA/V}^2⁠,λ=0.02 V−1\lambda=0.02\ \text{V}^{-1}⁠。求gmg_m⁠、rdsr_{ds}和Avd2A_{vd2}⁠。与本讲例 1 比较,说明尾电流对增益的影响。

答案与提示

ID=0.05 mAI_D=0.05\ \text{mA}⁠,gm=20.25×0.05≈0.224 mSg_m=2\sqrt{0.25\times0.05}\approx0.224\ \text{mS}⁠,rds=1/(0.02×0.05)=1 MΩr_{ds}=1/(0.02\times0.05)=1\ \text{M}\Omega⁠,Avd2=0.224×500≈111.8A_{vd2}=0.224\times500\approx111.8⁠。与例 1 相同:A∝Kn/I0A\propto\sqrt{K_n/I_0}⁠,例 1 中Kn/I0=2.5K_n/I_0=2.5⁠,这里也是 2.5。

4. 本讲例题若I0I_0加倍(⁠0.4 mA0.4\ \text{mA}⁠),不计电位器,第一级增益约为多少?

答案与提示

Av1∝1/I0A_{v1}\propto1/\sqrt{I_0}⁠,111.8/2≈79111.8/\sqrt2\approx79⁠。

5. 为什么有源负载差分电路"通常仅用于单端输出"?

答案与提示

镜像负载已经把一边的信号电流搬到另一边,在单端输出节点得到2id2i_d⁠,增益与双端输出相同;而T3T_3一侧是漏栅短接管,该节点交流电阻只有约1/gm31/g_{m3}⁠,那里几乎没有电压信号,所以不再做双端输出。

6. 简答:集成运放由哪几部分组成?各部分常用什么电路、起什么作用?

答案与提示

输入级:差分放大电路(常带有源负载),抑制零漂与共模干扰,要求KCMRK_{CMR}高、输入电阻大;中间级:共射/共源放大(有源负载),提供主要电压增益;输出级:射极/源极跟随器或互补推挽,输出电阻小、带负载能力强;偏置电路:各种电流源,为各级提供稳定的静态电流。

7.(华师真题风格,仿 2026 回忆题第 4 题)一个 CMOS 两级放大电路:PMOS 管T1T_1漏栅短接经RR接地、源极接+VDD+V_{DD}⁠,PMOS 管T2T_2⁠、T3T_3栅极接T1T_1栅极;T2T_2为 PMOS 差分对T4T_4⁠、T5T_5提供尾电流(两管源极间接电位器RPR_P⁠,滑动端接T2T_2漏极);NMOS 管T6T_6(漏栅短接,接T4T_4⁠)、T7T_7(接T5T_5⁠);NMOS 管T8T_8栅极接T5T_5漏极,漏极接T3T_3⁠。(1) 各管作用?(2) 若IREF=40 μAI_{REF}=40\ \mu\text{A}⁠,(W/L)2=(W/L)1(W/L)_2=(W/L)_1⁠,滑动端居中,T4T_4⁠、T5T_5静态电流多大?(3) 写出总电压增益的表达式。

答案与提示

(1) T1∼T3T_1\sim T_3⁠:PMOS 多路电流源,T1T_1为基准管;T2T_2提供尾电流,T3T_3为T8T_8提供偏置并作有源负载;T4T_4⁠、T5T_5⁠:PMOS 差分输入级;T6T_6⁠、T7T_7⁠:NMOS 镜像有源负载;T8T_8⁠:NMOS 共源第二级;RPR_P⁠:调零电位器。(结构与教材 MC14573 相同。) (2) I0=40 μAI_0=40\ \mu\text{A}⁠,对称,ID4=ID5=20 μAI_{D4}=I_{D5}=20\ \mu\text{A}⁠。 (3) Av=Av1Av2A_v=A_{v1}A_{v2}⁠,Av1=±Gm(rds5∥rds7)A_{v1}=\pm G_m(r_{ds5}\parallel r_{ds7})⁠,Gm=gm51+gm5RP/2G_m=\dfrac{g_{m5}}{1+g_{m5}R_P/2}⁠;Av2=−gm8(rds8∥rds3)A_{v2}=-g_{m8}(r_{ds8}\parallel r_{ds3})⁠。符号按信号流向判断。

8. 例题电路中若误把T6T_6的漏栅短接线接到了T7T_7上(即T7T_7漏栅短接、T6T_6不短接),输出还能正常放大吗?为什么?

答案与提示

不能按原设计工作。漏栅短接的管子所在节点交流电阻只有约1/gm1/g_m⁠,节点 X 会被"钳"在很小的交流电阻上,第一级单端输出几乎没有电压增益;而且T8T_8的栅极接在这个低阻节点,整个第二级得不到有效驱动。镜像负载必须是"输入侧"(接T4T_4⁠)短接、"输出侧"(接T5T_5⁠,送往下一级)为高阻。


下一讲预告:第 12 讲(上)从运放的内部走到外部:把运放看成理想器件,用"虚短、虚断"分析同相、反相放大电路。

👉 点击进入下一讲:第12讲(上)|理想运放与“虚短、虚断”,同相/反相放大电路

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