考研数电·零基础讲义 第05讲（上）｜半导体开关与二极管门电路

考研数电·零基础讲义 · 第 05 讲（上）｜半导体开关与二极管门电路 学完这一讲，你能说清"高电平/低电平"是什么、二极管/三极管/MOS 管怎样当开关用，并能对二极管与门、或门逐个输入组合算出输出电压、写出真值表。预计用时 90 分钟。

本讲地图#

• 门电路到底是什么：用电压的"高、低"代表 1 和 0，用"开关"造出高低电平。
• 三种半导体开关：二极管（受电压极性控制）、三极管（受基极电流控制）、MOS 管（受栅极电压控制），各自什么时候"合上"、什么时候"断开"。
• 正逻辑与负逻辑：同一个电路换一种读法，与门可以变成或门。
• 二极管与门、或门：会列"电平表 → 真值表"，知道它们为什么只能在芯片内部用。
• 华师怎么考：考纲原话是"TTL 和 CMOS 门电路的工作原理"。本讲是它的地基——后面分析 CMOS、TTL 门时，用的全是本讲的"开关思维"。
• 教材对应：阎石《数字电子技术基础》第六版 第 3 章 3.1、3.2 节，以及 3.3.1、3.4.1 节中"管子当开关"的部分。

前置知识#

• 与、或、非三种基本逻辑和真值表：见第 02 讲（上）。
• 会读真值表：见第 03 讲。
• 中学物理的欧姆定律$U=IR$⁠、串联分压。除此之外不需要任何模拟电路基础，本讲会从零讲。

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一、门电路是什么：从"开关和灯泡"说起#

1.1 大白话#

前几讲我们一直在纸上算$Y=AB$⁠、$Y=A+B$⁠。可是芯片里没有"纸"，只有电。那电路怎么表示 0 和 1 呢？

想象你家门口有一盏灯：灯亮 = 1，灯灭 = 0。数字电路做的事情一模一样，只是把"灯亮/灯灭"换成了一根导线上的电压高/电压低：

• 电压高（比如接近 5 V）——叫高电平；
• 电压低（比如接近 0 V）——叫低电平。

能实现与、或、非等逻辑运算的电路，就叫门电路（也叫逻辑门）。为什么叫"门"？你可以把它想象成一个门卫：输入是几张通行证（0 或 1），门卫按规矩（与、或、非……）决定放不放行（输出 1 还是 0）。

1.2 高电平、低电平是"一段范围"，不是一个点#

这是零基础同学最容易误解的地方：高电平不是"正好 5 V"，低电平也不是"正好 0 V"，它们各是一个允许的范围。

图 1：高、低电平各有一个允许范围；同一个电平，正逻辑和负逻辑的"读法"相反

• 落在高电平区里的电压，都算"高"；
• 落在低电平区里的电压，都算"低"；
• 中间那一段是"不允许区"：电压掉在这里，电路可能认为它是高也可能认为是低，结果不可靠。

为什么要这样设计？ 因为真实的导线上总有干扰（噪声），电压会抖一抖。只要抖动后还在原来的区里，逻辑值就不会错。这就是数字电路比模拟电路"皮实"的根本原因：模拟电路要求 3.21 V 就是 3.21 V，数字电路只问"你是高还是低"。所以数字电路对元件精度、电源稳定度的要求都比模拟电路低；想提高运算精度，只要多加几位二进制数就行。

这个"范围"的思想后面会发展成噪声容限（第 05 讲下），是考纲"工作原理"里很重要的一块。

1.3 正逻辑与负逻辑#

大白话：电压只有"高、低"两种，可"高"到底代表 1 还是 0，是人规定的。就像红绿灯，你也可以约定"红灯走、绿灯停"——只要大家都这么约定，照样不出事。

正式定义：

教材和考试除非特别说明，一律用正逻辑。本套讲义也一样。

逐行拆解：同一个电路，它输出什么电压是物理决定的，不会因为你怎么"读"而变化；变化的只是你给这些电压贴的标签（0 还是 1）。所以换一种逻辑约定，电路不变，逻辑功能的名字会变。

例题 1：某电路的电平关系是："两个输入都为高电平时输出高电平，否则输出低电平"。分别用正逻辑、负逻辑说它是什么门。

解：

第 1 步，先列"电平表"（只写高 H、低 L，不写 0/1）：

第 2 步，正逻辑：H→1，L→0，得到$00\to0$⁠、$01\to0$⁠、$10\to0$⁠、$11\to1$⁠，这是与门，$Y=AB$⁠。

第 3 步，负逻辑：H→0，L→1，把每一格都翻过来：$11\to1$⁠、$10\to1$⁠、$01\to1$⁠、$00\to0$⁠。只有 A、B 都是 0 时 Y 才是 0，其余都是 1，这是或门，$Y=A+B$⁠。

结论：正逻辑的与门 = 负逻辑的或门。同理，正逻辑的或门 = 负逻辑的与门；正逻辑的与非门 = 负逻辑的或非门。（这和第 02 讲的德·摩根定理是一回事：把所有变量和结果都取反，与、或互换。）

⚠️ 易错点：负逻辑下要把输入和输出都翻过来读，只翻输出会得到错误结论。

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二、用开关造出高、低电平#

2.1 单开关电路#

大白话：电源像一个"水塔"（高水位），地像"下水道"（零水位）。输出端$v_O$接在哪边，水位就是哪边。

图 2：左边是单开关电路，右边是互补开关电路；输入每 2 秒在低、高之间切换（动画循环播放）

看图 2(a)：电源$V_{CC}$（读作"V-C-C"，就是电源正极）经过电阻 R 接到输出$v_O$⁠，$v_O$再经开关 S 接地。

• S 断开：没有电流流过 R，R 上没有压降，$v_O = V_{CC}$⁠，输出高电平；
• S 接通：$v_O$被开关直接拉到地，$v_O \approx 0$⁠，输出低电平。

开关 S 由输入信号$v_I$控制。所以"输入控制开关 → 开关决定输出高低"，这就是一切门电路的骨架。

缺点：S 接通时，电源电压全部加在 R 上，电阻一直在发热，消耗功率

$$P=\frac{V_{CC}^2}{R}$$

例如$V_{CC}=5\ \text{V}$⁠、$R=1\ \text{k}\Omega$时，$P=25/1000=25\ \text{mW}$⁠。一个门 25 mW 看起来不多，芯片里有上百万个门就受不了了。

2.2 互补开关电路#

把电阻 R 也换成一个开关，就得到图 2(b)：上面$S_1$接电源，下面$S_2$接地，两个开关受同一个输入控制，但状态总是相反（一个合、另一个就断）——这就叫"互补"。

• $S_1$合、$S_2$断：输出接到电源，高电平；
• $S_1$断、$S_2$合：输出接到地，低电平。

因为任何时候总有一个开关是断开的，从电源到地之间没有通路，静态电流几乎为零，几乎不耗电。

记住这个画面！第 05 讲（下）的 CMOS 反相器就是"$S_1$ = P 沟道 MOS 管，$S_2$ = N 沟道 MOS 管"；第 07 讲的 TTL 输出级也是"上下两只三极管一个导通一个截止"。

⚠️ 易错点：互补开关电路省电是指静态（输入不变时）。输入翻转的一瞬间两个开关可能同时半导通，会有一点电流，这叫动态功耗，第 05 讲（下）细讲。

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三、三种半导体开关#

芯片里不可能放机械开关，用的是半导体器件。下面三种，考研只要求会"当开关用"，不要求懂半导体物理。

3.1 二极管：受"电压方向"控制的开关#

大白话：二极管像一个单向阀门（止回阀）。水只能从一个方向流过去，反方向推不动。

符号与读法：二极管符号是一个三角形加一条竖线。三角形那头叫阳极（正极），竖线那头叫阴极（负极）。箭头方向就是电流能流的方向：从阳极流向阴极。

开关规律：

• 阳极电位比阴极高出一个"门槛"（硅管约 0.7 V，记为$V_{ON}$或导通压降$V_{DF}$⁠）→ 导通，相当于开关合上，但两端还留着约 0.7 V 的压降；
• 阳极电位不够高（或者比阴极低）→ 截止，相当于开关断开，电流几乎为 0。

三种近似模型（教材图 3.2.3）：

本讲的门电路分析全部用恒压降模型：导通就是 0.7 V，截止就是断开。

动态特性：二极管从导通突然变成反向截止时，内部还存着电荷，会有一段很短的反向电流，持续时间叫反向恢复时间 $t_{re}$⁠，只有几纳秒。知道"开关不是瞬间完成的"即可。

3.2 三极管（双极型晶体管）：受"基极电流"控制的开关#

大白话：三极管像一个水龙头：基极电流是你拧龙头的手劲，集电极电流是出水量。手劲为零，龙头关死（截止）；手劲足够大，龙头开到底（饱和），再用力水也不会更多了。

引脚与读法：NPN 型三极管有三个脚——基极 b（base，控制端）、集电极 c（collector）、发射极 e（emitter，符号上带箭头的那根）。

三个工作区（只记开关要用的结论）：

这里$\beta$（读作"贝塔"）是电流放大系数，一般几十到几百；$I_{BS}$叫饱和基极电流——让管子刚好"开到底"所需的基极电流。

三极管开关电路（三极管反相器）：$V_{CC}$经集电极电阻$R_C$接到集电极，集电极就是输出$v_O$⁠；发射极接地；输入$v_I$经基极电阻$R_B$接到基极。

$$i_B=\frac{v_I-V_{ON}}{R_B},\qquad I_{BS}\approx\frac{V_{CC}}{\beta R_C}$$

逐行拆解：

• 第一个式子：基极回路里，输入电压先要"翻过" 0.7 V 的门槛，剩下的电压除以$R_B$才是基极电流；
• 第二个式子：管子饱和时 c-e 之间几乎短路，集电极电流最大只能是$V_{CC}/R_C$⁠；要达到这么大的集电极电流，基极电流至少要$\frac{V_{CC}}{R_C}\div\beta$⁠。

开关条件：输入低电平时$v_I<V_{ON}$ → 截止 → 输出高电平$\approx V_{CC}$⁠；输入高电平时$i_B\ge I_{BS}$ → 饱和 → 输出低电平$\approx 0$⁠。所以它是个反相器（非门）。

例题 2：三极管反相器中$V_{CC}=5\ \text{V}$⁠，$R_C=1\ \text{k}\Omega$⁠，$R_B=10\ \text{k}\Omega$⁠，$\beta=50$⁠，$V_{ON}=0.7\ \text{V}$⁠，饱和压降忽略。输入低电平 0.2 V、高电平 3.4 V。判断两种输入下三极管的状态和输出。

解：

第 1 步，算饱和基极电流：

$$I_{BS}\approx\frac{V_{CC}}{\beta R_C}=\frac{5}{50\times 1000}\ \text{A}=0.1\ \text{mA}$$

第 2 步，$v_I=0.2\ \text{V}$⁠：$0.2<0.7$⁠，发射结不导通，$i_B=0$⁠，截止，$v_O\approx V_{CC}=5\ \text{V}$（高电平）。

第 3 步，$v_I=3.4\ \text{V}$⁠：

$$i_B=\frac{3.4-0.7}{10\ \text{k}\Omega}=0.27\ \text{mA}$$

$0.27\ \text{mA}>0.1\ \text{mA}$⁠，满足$i_B\ge I_{BS}$⁠，饱和，$v_O\approx 0$（低电平）。

第 4 步（追问）：如果把$R_B$换成$100\ \text{k}\Omega$呢？$i_B=2.7/100\ \text{k}\Omega=0.027\ \text{mA}<0.1\ \text{mA}$⁠，管子只在放大区，$v_O=V_{CC}-\beta i_B R_C=5-50\times0.027\times1=3.65\ \text{V}$——既不是好的高电平也不是低电平，开关失败。

⚠️ 易错点：

1. 判断饱和要比较的是电流 $i_B$与$I_{BS}$⁠，不是比较电压；
2. 手册上的$\beta$是放大区的值，饱和区实际$\beta$更小，所以设计时要留足余量（让$i_B$比$I_{BS}$大好几倍）；
3. 三极管从饱和到截止要先把内部存的电荷"抽走"，需要时间，这是 TTL 电路速度受限的原因之一（第 07 讲）。

3.3 MOS 管：受"栅极电压"控制的开关#

大白话：MOS 管像一个声控灯开关：你只要"喊"（加电压）就行，不用"推"（不用持续给电流）。因为它的控制端和里面的通道之间隔着一层极薄的绝缘层（二氧化硅），栅极几乎不取电流。这正是 CMOS 电路省电的根源。

引脚与读法：栅极 G（gate，控制端）、漏极 D（drain）、源极 S（source）。还有衬底 B，一般接源极或接最低（最高）电位，分析开关时不用管。

两种增强型 MOS 管（CMOS 里用的就是这两种）：

$V_{GS(th)}$读作"V-G-S 开启"，就是让管子开始导通的门槛电压。在电路符号里，PMOS 的栅极常画一个小圆圈，提醒你"低电平有效"。

开关等效：

• 截止时 D-S 间电阻$R_{OFF}$极大（可达$10^9\ \Omega$以上）→ 断开的开关；
• 导通时 D-S 间电阻$R_{ON}$很小（一般 1 kΩ 以内）→ 合上的开关，但要记得它不是 0；$v_{GS}$越大，$R_{ON}$越小。

MOS 管开关电路：$V_{DD}$（MOS 电路的电源，读"V-D-D"）经电阻$R_D$接漏极（即输出），源极接地，输入加在栅极。输入低 → NMOS 截止 → 输出高；输入高 → NMOS 导通 → 输出低。也是反相器。

例题 3：上述 NMOS 开关电路中$V_{DD}=5\ \text{V}$⁠，$R_D=10\ \text{k}\Omega$⁠，NMOS 导通电阻$R_{ON}=200\ \Omega$⁠，截止电阻$R_{OFF}=10^9\ \Omega$⁠。求输出高、低电平。

解：输出就是$R_D$与 MOS 管的串联分压，取管子上的那一份：

• 输入高、管子导通：$v_O=V_{DD}\cdot\frac{R_{ON}}{R_D+R_{ON}}=5\times\frac{200}{10200}\approx0.098\ \text{V}$⁠，低电平；
• 输入低、管子截止：$v_O=5\times\frac{10^9}{10^9+10^4}\approx5.000\ \text{V}$⁠，高电平。

这说明只要$R_{OFF}\gg R_D\gg R_{ON}$⁠，MOS 管就是个很好的开关。

⚠️ 易错点：NMOS 和 PMOS 的导通条件正好相反，后面分析 CMOS 门时最常错的就是把 PMOS 当成"高电平导通"。口诀：N 高通，P 低通。

3.4 三种开关对比（速览）#

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四、二极管与门#

4.1 大白话#

二极管与门像一个"谁最低听谁的"的电路：输出 Y 通过电阻接到电源，被电源往上拉；每个输入通过一只二极管"拽"着 Y 往下。只要有一个输入是低电平，它就把 Y 拽下来。只有所有输入都高，Y 才能高。——这正是"与"：全 1 才 1。

4.2 电路#

图 3：二极管与门（左）与二极管或门（右）；四种输入组合轮流出现，橙色表示导通的二极管（动画循环播放）

看图 3(a)：

• 电源$V_{CC}=5\ \text{V}$经电阻 R 接到输出 Y；
• 两只二极管$D_1$⁠、$D_2$的阳极都接在 Y 上，阴极分别接输入 A、B；
• 输入高电平$V_{IH}=3\ \text{V}$⁠，低电平$V_{IL}=0\ \text{V}$⁠，二极管导通压降 0.7 V。

4.3 逐个组合分析#

分析二极管电路的通用招数：先假设，再检验，或者直接找"最容易导通的那只"。在与门里，电源从 R 往下推电流，电流会挑阴极电位最低的那条路走——那只二极管先导通，并把 Y 钳在"它的阴极电位 + 0.7 V"。

1. A=0 V，B=0 V：两只阴极都是 0 V，都导通，Y = 0 + 0.7 = 0.7 V。
2. A=0 V，B=3 V：$D_1$阴极更低，$D_1$先导通，Y 被钳在 0.7 V。这时$D_2$阳极 0.7 V、阴极 3 V，反偏，截止。Y = 0.7 V。
3. A=3 V，B=0 V：同理$D_2$导通、$D_1$截止，Y = 0.7 V。
4. A=3 V，B=3 V：两只阴极都是 3 V，Y = 3 + 0.7 = 3.7 V（电源 5 V 够把 Y 抬到 3.7 V，二极管都导通）。

电平表（教材表 3.2.1）：

规定 3 V 以上为高电平记 1，0.7 V 以下为低电平记 0，得到真值表：

这正是与逻辑$Y=AB$⁠。

例题 4：三输入二极管与门，$V_{CC}=5\ \text{V}$⁠，导通压降 0.7 V。若 A=0.3 V、B=3 V、C=3 V，求 Y，并说明哪些二极管导通。

解：

第 1 步，找阴极电位最低的输入：A=0.3 V 最低。

第 2 步，A 那只二极管导通，Y = 0.3 + 0.7 = 1.0 V。

第 3 步，检验其他两只：阳极 1.0 V、阴极 3 V，反偏，截止。

所以只有$D_A$导通，Y = 1.0 V，是低电平（逻辑 0），与"有 0 出 0"一致。注意输入低电平从 0 V 变成 0.3 V 后，输出低电平也跟着抬高到了 1.0 V——"偏移"问题见第六节。

⚠️ 易错点：

1. 与门里二极管的阴极朝输入；或门里是阳极朝输入。方向一画反，功能就全变了。
2. 输出不是"输入值本身"，要加上（与门）或减去（或门）0.7 V。

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五、二极管或门#

5.1 大白话#

或门是"谁最高听谁的"：输出 Y 经电阻接地，被往下拉；每个输入经二极管"托"着 Y 往上。只要有一个输入高，就把 Y 托起来。——"有 1 出 1"。

5.2 电路与分析#

看图 3(b)：输入 A、B 分别接二极管的阳极，两只二极管的阴极连在一起作为输出 Y，Y 经电阻 R 接地。高电平 3 V，低电平 0 V，导通压降 0.7 V。

电流从高电位的输入流进来，经二极管、R 流到地。阳极电位最高的那只二极管先导通，把 Y 定在"它的阳极电位 − 0.7 V"。

1. A=B=0 V：没有任何电压能让二极管导通，都截止，R 上无电流，Y = 0 V。
2. A=0，B=3 V：$D_2$导通，Y = 3 − 0.7 = 2.3 V；$D_1$阳极 0 V、阴极 2.3 V，反偏截止。
3. A=3 V，B=0：$D_1$导通，Y = 2.3 V。
4. A=B=3 V：都导通，Y = 2.3 V。

规定 2.3 V 以上为 1、0 V 为 0，得到$00\to0$⁠，其余为 1，即$Y=A+B$⁠。

例题 5：二极管或门的两个输入分别为 5 V 和 0 V，求输出。

解：5 V 那只阳极最高，先导通，$Y=5-0.7=4.3\ \text{V}$⁠；另一只阳极 0 V、阴极 4.3 V，截止。输出 4.3 V，高电平。

⚠️ 易错点：或门全输入为 0 时，二极管都截止，Y 是通过 R 接地才得到 0 V 的——R 不能省，省了 Y 就"悬空"，电平不确定。

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六、二极管门电路的缺点：为什么还需要 CMOS 和 TTL#

6.1 电平偏移#

与门的输出低电平是 0.7 V（比输入低电平 0 V 高了 0.7 V），或门的输出高电平是 2.3 V（比输入高电平 3 V 低了 0.7 V）。每过一级门，电平就"走样"0.7 V。

例题 6：把一个二极管与门的输出（低电平 0.7 V）接到第二个二极管与门的一个输入，第二个门的另一输入为 3 V，求第二个门的输出。

解：第二个门里，阴极最低的是 0.7 V 那一路，Y₂ = 0.7 + 0.7 = 1.4 V。

再接一级就是 2.1 V……几级之后"低电平"就爬进了不允许区，逻辑就乱了。或门也一样：2.3 V 再过一级或门变成 1.6 V。

6.2 带负载能力差#

二极管门的输出端只靠一个电阻往上拉（或往下拉）。输出端再接负载电阻时，负载会和 R 分压，把高电平（或低电平）拉偏。

6.3 结论#

二极管门电路做不出"标准化"的输出电平，所以只在集成电路内部当逻辑单元用（比如 TTL 与非门的输入级，第 07 讲（下）你会看到它的影子），不直接拿来驱动外面的负载。

真正做成芯片对外使用的，是在输出端加了"互补开关"的 CMOS 门（第 05 讲下、第 06 讲）和 TTL 门（第 07 讲）。它们的输出高、低电平稳定，带负载能力强。

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七、一个通用的分析套路#

以后遇到任何"二极管 + 电阻"的门电路，按下面四步做：

1. 认结构：二极管阴极朝输入、阳极共接、电阻接电源 → 与门型；阳极朝输入、阴极共接、电阻接地 → 或门型。
2. 找"最先导通"的那只：与门型找阴极最低的，或门型找阳极最高的。
3. 钳位求输出：与门型$Y=V_{\min}+0.7$⁠；或门型$Y=V_{\max}-0.7$（全低时 Y=0）。
4. 检验其余二极管：确认它们反偏截止，再把电平表翻成真值表。

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速记卡#

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自测练习#

1.（基础）在正逻辑下，下面哪个电压最可能被 5 V 系统当作"1"：0.3 V、2.5 V、4.6 V？为什么说"2.5 V"是危险的？

答案与提示

4.6 V 落在高电平区，是 1；0.3 V 是 0。2.5 V 在 5 V 系统里常常落在"不允许区"（高、低之间的模糊地带），电路可能判成 1 也可能判成 0，结果不可靠。

2.（基础）二极管与门，$V_{CC}=5\ \text{V}$⁠，导通压降 0.7 V，输入高 3 V、低 0 V。写出 A=3 V、B=0 V 时哪只二极管导通、输出电压是多少。

答案与提示

B 那只（⁠$D_2$⁠）阴极电位最低，导通，Y = 0 + 0.7 = 0.7 V；$D_1$阳极 0.7 V、阴极 3 V，反偏截止。输出 0.7 V，逻辑 0。

3.（基础）二极管或门，输入高 3 V、低 0 V，导通压降 0.7 V。列出完整电平表和真值表。

答案与提示

电平表：00→0 V，03→2.3 V，30→2.3 V，33→2.3 V。真值表：00→0，01→1，10→1，11→1，即$Y=A+B$⁠。

4.（概念）某电路的真值表在正逻辑下是$Y=\overline{AB}$（与非）。在负逻辑下它是什么门？

答案与提示

输入、输出全部取反来读：负逻辑下的输出$Y'=\overline{Y}=AB$⁠，输入$A'=\overline A$⁠、$B'=\overline B$⁠，所以$Y'=\overline{A'}\,\overline{B'}=\overline{A'+B'}$⁠，是或非门。口诀：正与非 = 负或非。

5.（计算）三极管反相器：$V_{CC}=5\ \text{V}$⁠，$R_C=1\ \text{k}\Omega$⁠，$R_B=20\ \text{k}\Omega$⁠，$V_{ON}=0.7\ \text{V}$⁠，饱和压降忽略。输入高电平 3.4 V。$\beta$至少多大，三极管才能饱和？

答案与提示

$i_B=(3.4-0.7)/20\ \text{k}\Omega=0.135\ \text{mA}$⁠。饱和要求$i_B\ge V_{CC}/(\beta R_C)$⁠，即$\beta\ge \dfrac{5\ \text{mA}}{0.135\ \text{mA}}\approx37.0$⁠。所以$\beta$至少约 37（实际设计要留余量）。

6.（判断）CMOS 电路里，栅极接 0 V、源极接 5 V 的 P 沟道增强型 MOS 管（开启电压 −1.5 V）是导通还是截止？栅极接 0 V、源极接地的 N 沟道增强型 MOS 管（开启电压 +1.5 V）呢？

答案与提示

PMOS：$v_{GS}=0-5=-5\ \text{V}<-1.5\ \text{V}$⁠，导通。NMOS：$v_{GS}=0<1.5\ \text{V}$⁠，截止。这正是第 05 讲（下）CMOS 反相器输入低电平时的状态。

7.（华师风格·分析）用两个二极管与门级联：第一级输入 A=0 V、B=3 V，输出接第二级的一个输入，第二级另一个输入 C=3 V。$V_{CC}=5\ \text{V}$⁠，导通压降 0.7 V。求第一、二级输出电压；如果规定"1.0 V 以下才算低电平"，第二级输出还能被正确识别为 0 吗？说明二极管门电路的什么缺点。

答案与提示

第一级：Y₁ = 0 + 0.7 = 0.7 V。第二级：两输入 0.7 V 和 3 V，阴极最低 0.7 V，Y₂ = 0.7 + 0.7 = 1.4 V。1.4 V 高于 1.0 V，不能再被可靠识别为低电平。这说明二极管门存在电平偏移，每级偏 0.7 V，不能多级级联，所以只用于集成电路内部。

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下一讲预告#

第 05 讲（下）把图 2(b) 的两个开关换成一只 PMOS 和一只 NMOS，得到大名鼎鼎的 CMOS 反相器——我们会看它的电压传输特性、噪声容限和功耗。

👉 点击进入下一讲：第05讲（下）｜CMOS 反相器：结构、特性与参数